Search for: [Subject and Keywords = HRPITS] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = radiation defect centres] OR [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = radiacyjne centra defektowe] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = HRPITS] OR [Title = Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu = Effect of photon flux on HRPITS spectral images for radiation defect centers in silicon single crystals] OR [Title = Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu] OR [Creator = Kozłowski Roman] OR [Creator = Kozłowski Roman]

Number of results: 924

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu = Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms

Kozłowski Roman

2012

Text

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors

Kozłowski Roman

2001

Text

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Dobiech Teresa

1982

Text

Influence of the CONTIN numerical procedure parameters on the shape of the spectral fringes obtained through the analysis of the temperature changes of the photocurrent relaxation waveforms

Żelazko Jarosław

2015

Text

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds

Kozłowski Roman

1998

Text

Wyznaczanie czasu życia nosników ładunku i poziomów rekombinacyjnych w materiałach wysokorezystywnych poprzez pomiar temperaturowej zależności fotoprąd = Determination of carrier lifetime and recombination levels in high-resistivity materials from photocurrent measurements

Kozłowski Roman

2000

Text

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum

Jakubicki Wojciech

1973

Text

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič, Andreja V.

1977

Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus

Nowysz Karol

1985

Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem = Research in receiving of homogeneous silicon monocrystals strong doped with antimony

Bukowski Andrzej

1976

Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych = Determination of the position of epitaxial n-n+ junctions on a skew microsection

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1977

Text

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi = Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray technoques

Sakowska Halina

2012

Text

Monokryształy krzemu - ich własności oraz metody i urządzenia do ich wytwarzania = Silicon single crystals - properties, methods of crystalization and growing equipment

Jeske Witold

1974

Text

Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4 = Quantitative determination of trichlorosilane in technical purity tetrachlorosilane by proton magnetic resonance method

Drożdż Elżbieta

1978

Text

SiC die-substrate connections for high temperature applications = Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych

Szczepański Zbigniew

2009

Text

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Pawłowski Mariusz

2008

Text

Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR = Measurement of long range surface flatness deviation of Siu wafers by means of HR XRR method

Mazur Krystyna

2008

Text

Filters

Number of results: 924

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Influence of the CONTIN numerical procedure parameters on the shape of the spectral fringes obtained through the analysis of the temperature changes of the photocurrent relaxation waveforms

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds

Wyznaczanie czasu życia nosników ładunku i poziomów rekombinacyjnych w materiałach wysokorezystywnych poprzez pomiar temperaturowej zależności fotoprąd = Determination of carrier lifetime and recombination levels in high-resistivity materials from photocurrent measurements

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem = Research in receiving of homogeneous silicon monocrystals strong doped with antimony

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych = Determination of the position of epitaxial n-n+ junctions on a skew microsection

Monokryształy krzemu - ich własności oraz metody i urządzenia do ich wytwarzania = Silicon single crystals - properties, methods of crystalization and growing equipment

Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4 = Quantitative determination of trichlorosilane in technical purity tetrachlorosilane by proton magnetic resonance method

SiC die-substrate connections for high temperature applications = Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR = Measurement of long range surface flatness deviation of Siu wafers by means of HR XRR method

Technical contact

Address

Sitemap

Main page

Collections

Indexes

About project

User's account

Recently viewed

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by