Filtry
  • Typ zasobu
  • Kolekcje
  • Typ obiektu
  • Typ pliku
  • Format treści
  • Dostępność obiektu
  • Data wydania/powstania Data związana z konkretnym wydarzeniem cyklu życia zasobu.
  • Dostęp
Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Szukana fraza: [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = single crystal] lub [Temat i słowa kluczowe = Si] lub [Temat i słowa kluczowe = Sb] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = Materiały elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = monokryształ] lub [Temat i słowa kluczowe = Si] lub [Temat i słowa kluczowe = Sb] lub [Tytuł = Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem = Research in receiving of homogeneous silicon monocrystals strong doped with antimony] lub [Tytuł = Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem] lub [Twórca = Bukowski Andrzej] lub [Twórca = Bukowski Andrzej]

Wyników: 925

Obiektów na stronie:
Dodaj wszystkie do bibliografii

Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p

Mirowska Aleksandra

2010
Tekst

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs

Pawłowska Marta

1988
Tekst

Badanie zachowania się arsenu w antymonie w procesie topienia strefowego

Dalecki Wojciech

1991
Tekst

Otrzymywanie antymonu o czystości wyższej niż 6N

Kusowski Mieczysław

1973
Książka/Rozdział

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych

Drzewiecki Paweł

1976
Tekst

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu

Dobiech Teresa

1982
Tekst

Metody ujawniania, klasyfikacja i ocena struktury defektów typu SWIRLS w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu, otrzymywanych metodą beztyglowego topienia strefowego

Jeske Witlod

1976
Tekst

Wpływ antymonu na zjawiska powierzchniowe w procesie wytwarzania kompozytu W-CuSb

Senkara Jacek

1983
Tekst

Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3" zmodyfikowaną metodą Czochralskiego

Mirowska Aleksandra

2012
Tekst

Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem

Mirowska Aleksandra

2011
Tekst

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny

Jakubicki Wojciech

1973
Tekst

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič Andreja V.

1977
Tekst

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach

Grzejszczyk Wanda

1990
Tekst

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Tomaszewski, Jacek

1990
Tekst

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985
Tekst

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985
Tekst

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor

Nowysz Karol

1985
Tekst

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978
Tekst

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003
Tekst

Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1977
Tekst

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi

Sakowska Halina

2012
Tekst

Monokryształy krzemu - ich własności oraz metody i urządzenia do ich wytwarzania

Jeske Witold

1974
Tekst

Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4

Drożdż Elżbieta

1978
Tekst

SiC die-substrate connections for high temperature applications

Szczepański Zbigniew

2009
Tekst

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

Pawłowski Mariusz

2008
Tekst

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji