Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = removal of thin layers] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = anodic oxidation] OR [Subject and Keywords = dissolution of oxide] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = zdejmowanie warstw cienkich] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = utolenianie anodowe] OR [Title = Zdejmowanie cienkich warstw z płytek krzemowych metodą utleniania anodowego i rozpuszczania utworzonego tlenku = Removal of thin layers from silicon wafersby means of an anodic oxidation and dissolution of the oxides formed] OR [Title = Zdejmowanie cienkich warstw z płytek krzemowych metodą utleniania anodowego i rozpuszczania utworzonego tlenku] OR [Creator = Jaskólska Halina] OR [Creator = Jaskólska Halina]

Number of results: 922

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Dobiech Teresa

1982

Text

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum

Jakubicki Wojciech

1973

Text

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič, Andreja V.

1977

Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus

Nowysz Karol

1985

Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem = Research in receiving of homogeneous silicon monocrystals strong doped with antimony

Bukowski Andrzej

1976

Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych = Determination of the position of epitaxial n-n+ junctions on a skew microsection

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1977

Text

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi = Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray technoques

Sakowska Halina

2012

Text

Monokryształy krzemu - ich własności oraz metody i urządzenia do ich wytwarzania = Silicon single crystals - properties, methods of crystalization and growing equipment

Jeske Witold

1974

Text

Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4 = Quantitative determination of trichlorosilane in technical purity tetrachlorosilane by proton magnetic resonance method

Drożdż Elżbieta

1978

Text

SiC die-substrate connections for high temperature applications = Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych

Szczepański Zbigniew

2009

Text

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Pawłowski Mariusz

2008

Text

Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR = Measurement of long range surface flatness deviation of Siu wafers by means of HR XRR method

Mazur Krystyna

2008

Text

Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni = Determination of nitrogen concentration in Czochralski silicon crystals from the far infrared absorption spectra

Możdżonek Małgorzata

2007

Text

Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej = The modeling of the CVD epitaxial process

Korec Jacek

1985

Text

Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego = Studies of residual stress in Czochralski-grown crystals

Adamkiewicz Grażyna

1986

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu = Effect of photon flux on HRPITS spectral images for radiation defect centers in silicon single crystals

Kozłowski Roman

2010

Text

Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs = Investigation of absorption spectra of Si GaAs

Surma Barbara

1994

Text

Filters

Number of results: 922

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by