Filters
How to search... Advanced search
RCIN and OZwRCIN projects

Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = SiC] OR [Subject and Keywords = thickness of epitaxial layer] OR [Subject and Keywords = chemical decoration] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = SiC] OR [Subject and Keywords = grubość warstwy epitaksjalnej] OR [Subject and Keywords = chemiczne barwienie] OR [Title = Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n\+n oraz p\+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metoda chemicznego barwienia = Identification of position of the n\+n and p\+p LH junctions in epitaxial SiC layers by chemical decoration] OR [Title = Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n\+n oraz p\+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metoda chemicznego barwienia] OR [Creator = Przyborowska Krystyna] OR [Creator = Przyborowska Krystyna]

Number of results: 920

Items per page:
add all to bibliography

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method

Tymicki Emil

2012
Text

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi = Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray technoques

Sakowska Halina

2012
Text

SiC die-substrate connections for high temperature applications = Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych

Szczepański Zbigniew

2009
Text

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Pawłowski Mariusz

2008
Text

SiC Schottky barrier rectifiers - theory and practice = Diody prostownicze Schottky'ego z węglika krzemu Teoria i praktyka

Synowiec Zdzisław

2004
Text

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii

Kamiński Paweł

2010
Text

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy

Caban Piotr

2008
Text

Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe

Brzozowski Andrzej

2008
Text

Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe

Brzozowski Andrzej

2008
Text

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers

Kozubal Michał

2010
Text

Wpływ udziału ziaren SiC na zjawisko krzywych R w spiekach Al2O3 = Effect if SiC particulate addition on R-curve behaviour of alumina

Tomaszewski Henryk

1998
Text

Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska = Effect shallow impurities on the properties and concentrations of deep-level defect centres in SiC

Kozubal Michał

2011
Book/Chapter

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Tymicki Emil

2011
Text

Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej = New measurement system for characterization of defect centers by capacitance transient spectroscopy method

Kozubal Michał

2013
Text

Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers

Kozubal Michał

2013
Book/Chapter

Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4 = Quantitative determination of trichlorosilane in technical purity tetrachlorosilane by proton magnetic resonance method

Drożdż Elżbieta

1978
Text

Solution growth of 3C-SiC by TSSG method

Raczkiewicz Marcin

2015
Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976
Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017
Book/Chapter

Electronic Materials

2020
Book/Chapter

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014
Book/Chapter

Spis treści 2013 T. 41 nr 4 = Contents 2013 T.41 nr 4

2013
Book/Chapter

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition / Rafał Stankiewicz, Anna PiDatkowska.

Stankiewicz, Rafał.

2018.
Book/Chapter

Vol. 46 No. 1-4 [2018]

Materiały Elektroniczne

2018.
Book/Chapter

Spis treści 1990 nr 3(71) = Content 1990 nr 3(71)

1990
Text

Technical contact

Address

Institute of Electronic Materials Technology
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa, Poland

Financing:

Project I

Project "Digital Repository of Scientific Institutes" [RCIN] co-financed by Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund.




Project II

Project "Open Resources in the Digital Repository of Scientific Institutes" [OZwRCIN] co-financed by Operational Program Digital Poland, 2014-2020, Measure 2.3: Digital accessibility and usefulness of public sector information; funds from the European Regional Development Fund and national co-financing from the state budget.





Partners funds

Works related to making new facilities available in the RCIN service are also co-financed by the Partners.

Partnership:

Website created by

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

This page uses 'cookies'. More information