Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = naprężenie] OR [Subject and Keywords = materiał półprzewodnikowy] OR [Subject and Keywords = metoda fotometryczna] OR [Title = Fotometryczna metoda pomiaru naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = Intensity method for stress measurement of semiconductors] OR [Title = Fotometryczna metoda pomiaru naprężeń w materiałach półprzewodnikowych] OR [Creator = Bajor Andrzej] OR [Creator = Bajor Andrzej]

Number of results: 917

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Zastosowanie formuły Robertsona do wyznaczania wielkości naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = The use of Robertson's formula for the evaluation of stress in semiconductor materials

Bajor Andrzej

1987

Text

Zastosowanie metody Muellera do analizy zjawiska dwójłomności wymuszonej mechanicznie w materiałach półprzewodnikowych = Application of the Mueller calculus for the analysis of stress-induced birefingence in semiconductors

Bajor Andrzej

1988

Text

Some problems of optical inhomogeneity testing in crystalline materials by imaging polarimetry = Niektóre problemy badań niejednorodności optycznej kryształów za pomocą polarymetru obrazowego

Bajor Andrzej L.

1996

Text

Układ polaryskopu optycznego do bdań naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = Plane polariscope for photoelastic measurement of semiconductors

Adamkiewicz, Grażyna

1985

Text

Potencjalne możliwości zastosowań polaryskopu liniowego do badań naprężeń i defektów strukturalnych w materiałach półprzewodnikowych = Potentialities of the plane polariscope for studing of residual stress and crystallographic defects in semiconductors

Adamkiewicz Grażyna

1988

Text

Możliwości modyfikacji charakterystyk promieniowania laserów półprzewodnikowych przez superpozycję naprężeń w warstwie aktywnej = On the possibility of modification of semiconductor laser emission characteristics by strain superposition in active region

Maląg Andrzej

2002

Text

Polarymetryczna metoda badania dyspersji dwójłomności w kryształach = Polarimetric method of birefringence dispersion investigation in crystals

Bajor Andrzej Leopold

2004

Text

Some modern semiconductoring materials = Nowoczesne materiały półprzewodnikowe

Nikolič P.M.

1977

Text

Badania mikrostruktury półprzewodnikowych materiałów tlenkowych = Investigation of microstructure semiconductor oxides

Petrović W.J

1976

Text

Teoretyczna i doświadczalna analiza naprężeń cieplnych i resztkowych w wybranych kryształach tlenkowych = Theoretical and experimental analysis of thermal and residual stresses in some oxide single crystals

Gałązka Zbigniew

1998

Text

Prognozowanie trwałości tworzyw ceramicznych poddanych cyklicznym naprężeniom termicznym = Life forecasting of ceramic materials

Boniecki Marek

1992

Text

Inżynieria Materiałów Elektronicznych. II Seminarium zorganizowane pod patronatem KBN 16 grudnia 1997 roku

1997

Text

Symetria odkształceń sieci monokryształów o orientacji <111> otrzymanych metodą Czochralskiego = Symmetry of strain in <111> oriented Czochralski-grown crystals

Adamkiewicz Grażyna

1987

Text

Rozkład naprężeń wewnętrznych w mikrowarstwowych kompozytach ceramicznych = Effect of residual stresses in layered ceramic microcomposites on crack propagation during fracture

Tomaszewski Henryk

1998

Text

Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego = Studies of residual stress in Czochralski-grown crystals

Adamkiewicz Grażyna

1986

Text

Przegląd metod analizy metali i materiałów półprzewodnikowych = Methods of analysis of metals and semiconductors

Jaworski Czesław

1975

Text

Obudowa światłowodowa półprzewodnikowego wskaźnika cyfrowego = Light guide package for semiconductor numeric display

Nowacki Janusz

1976

Text

Badania półprzewodnikowych roztworów stałych za pomocą sond elektronowych i jonowych = Research in semiconductor dolid solutions by means of electron and ion probes

Fistul, W.I

1976

Text

Inżynieria Materiałów Elektronicznych. II Seminarium zorganizowane pod patronatem KBN 16 grudnia 1997 roku= Electronic Materials Engineering

1997

Text

Związki półprzewodnikowe i ich roztwory stałe = Semiconductor compounds and their stable solutions

Jakowlew Bolesław

1975

Text

Niektóre problemy związane z jakością materiału wyjściowego w technologii krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Some problems of starting material quality in silicon devices technology

Pietras Edward

1975

Text

Numeryczne metody rozpłatania rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego. Zastosowanie do badania supersieci półprzewodnikowych = The numerical x-ray peaks refinements applied to the semiconductor superlattice spectra

Gaca Jarosław

1992

Text

Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych = Novel technologies of manufacturing of semiconductor structures

Bugajski Maciej

1990

Text

Analiza stanów naprężeń w procesach ciągnienia i hydrostatycznego wyciskania drutu = An analysis of the state of stresses in drawing and hydrostatic extrusion processes

Erbel Stanisław

1980

Text

Rola mikrostruktury i wewnętrznych naprężeń cieplnych w zwiększeniu odporności na pękanie ceramiki na bazie Al2O3 = The role of microstructure and of internal thermal stresses in the toughening of Al2O3 based ceramics

Boniecki Marek

1991

Text

Filters

Number of results: 917

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by