Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- material] OR [Subject and Keywords = Electronic materials] OR [Subject and Keywords = epitaxial layer] OR [Subject and Keywords = GaP] OR [Subject and Keywords = VPE] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = GaP] OR [Subject and Keywords = VPE] OR [Title = Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej = The production of thin GaP lauers by vapour phase epitaxy] OR [Title = Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej] OR [Creator = Strupiński Włodzimierz] OR [Creator = Strupiński Włodzimierz]

Number of results: 919

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties

Strupiński Włodzimierz

1985

Text

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Strzelecka, Stanisława

2006

Text

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Text

Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni = Determination of carbon concentration in GaP single crystals from absorption spectra in infrared range

Strzelecka Stanisława

2007

Text

Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowancy kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC

Surma Barbara

2009

Text

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni = Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisław

2009

Text

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds

Dumiszewska Ewa

2011

Text

Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction

Orłowski Wacław

2010

Text

Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP = Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisława

2009

Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995

Text

Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE = Optimalization of doping profile in GaAs epilayers obtained by MOVPE and HVPE methods

Strupiński Włodzimierz

1993

Text

Metodyka badania warstw epitaksjalnych krzemu za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego z zastosowaniem map linii Kikuchi = The method of study for the silicon epitaxial monolayers by means of transmission electron microscope with use of Kikuchi lines map

Rupniewski Wojciech

1979

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987

Text

Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej = The liquid phase epitaxy of Er:YAG layers

Sarnecki Jerzy

1997

Text

Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures

Tomaszewski Jacek

1981

Text

Badanie powstawania dyslokacji niedopasowania w krzemowych warstwach epitaksjalnych = The investigations of misfit dislocations creation in silicon epitaxial layers

Mazur Krystyna

1981

Text

Zarodkowanie i wzrost warstw epitaksjalnych = Nucleation and growth of epitaxial layers

Żmija Józef

1977

Text

Krzemowe warstwy homoepitaksjalne = Homoepitaxial silicon layers

Korec Jacek

1978

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity

Nowysz Karol

1975

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986

Text

Filters

Number of results: 919

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by