Search for: ([Subject and Keywords = Electronic \- journal \- material] OR [Subject and Keywords = Electronic materials] OR [Subject and Keywords = synchrotron topography] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materialy] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = topografia synchrotronowa] OR [Title = Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych = The study of single crystals and epitaxial layers with the use synchrotron radiation and simulation of diffraction images] OR [Title = Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych] OR [Creator = Wierzchowski Wojciech] OR [Creator = Wierzchowski Wojciech])

Number of results: 924

Items per page:

add all to bibliography

of 39 Next

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs = X-ray investigation of semi-insulating GaAs single crystals

Wierzchowski Wojciech

1988

Text

Odwzorowywanie dyslokacji w krzemowych warstwach epitaksjalnych metodami odbiciowymi rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej = The images of dislocations in silocon epitaxial layers obtained with help of X-ray diffraction topographic methods

Wierzchowski Wojciech

1984

Text

Badanie dyslokacji w krzemie i w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą rentgenowskiej topografii odbiciowej metodą Berga-Barretta = The investigation of dislocations in Si and in epitaxial Si layers by Berg-Barret x-ray reflection topography

Wierzchowski Wojciech

1975

Text

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Świderski Jarosław

1976

Text

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Piga Witold

1983

Text

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976

Text

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Dobiech Teresa

1982

Text

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds

Pawłowska Joanna

2008

Text

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Jabłoński Ryszard

1986

Text

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Otto Elżbieta

1981

Text

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV = The investigation of the chemical composition profile and laterial homogenity of AIIIBV quatum wells

Gaca Jarosław

2005

Text

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Jasik Agata

1997

Text

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Pietras Edward

1973

Book/Chapter

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wesołowski Marek

2007

Text

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Kamiński, Paweł

1991

Text

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Palczewska Maria

1995

Text

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3

Nishizawa Jun-ichi

1997

Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995

Text

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Kot Waldemar

1985

Text

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum

Jakubicki Wojciech

1973

Text

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič, Andreja V.

1977

Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Filters

Number of results: 924

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs = X-ray investigation of semi-insulating GaAs single crystals

Odwzorowywanie dyslokacji w krzemowych warstwach epitaksjalnych metodami odbiciowymi rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej = The images of dislocations in silocon epitaxial layers obtained with help of X-ray diffraction topographic methods

Badanie dyslokacji w krzemie i w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą rentgenowskiej topografii odbiciowej metodą Berga-Barretta = The investigation of dislocations in Si and in epitaxial Si layers by Berg-Barret x-ray reflection topography

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV = The investigation of the chemical composition profile and laterial homogenity of AIIIBV quatum wells

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Technical contact

Address

Sitemap

Main page

Collections

Indexes

About project

User's account

Recently viewed

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by