Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- material] OR [Subject and Keywords = Electronic materials] OR [Subject and Keywords = ESR] OR [Subject and Keywords = paramagnetic defect] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = ESR] OR [Subject and Keywords = defekt paramagnetyczny] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Title = Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn] OR [Title = Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR] OR [Creator = Palczewska Maria] OR [Creator = Palczewska Maria]

Number of results: 917

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5 = The use of ESR method for characterization of paramagnetic defects in semiconductor A3B5 crystals

Palczewska Maria

1993

Text

Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4) = Paramagnetic defects in PbWO4

Jabłoński Ryszard

1997

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1991 nr 4(76) = ITME employees participation in conferences 1991 nr 4(76)

1991

Text

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Świderski Jarosław

1976

Text

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Piga Witold

1983

Text

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976

Text

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Pawłowski Mariusz

2008

Text

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds

Pawłowska Joanna

2008

Text

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Jabłoński Ryszard

1986

Text

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Otto Elżbieta

1981

Text

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV = The investigation of the chemical composition profile and laterial homogenity of AIIIBV quatum wells

Gaca Jarosław

2005

Text

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Jasik Agata

1997

Text

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Pietras Edward

1973

Book/Chapter

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wesołowski Marek

2007

Text

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Kamiński, Paweł

1991

Text

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3

Nishizawa Jun-ichi

1997

Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995

Text

Elektronowy rezonans paramagnetyczny w układach lokalnie uporządkowanych = Electron paramagnetic resonance in local ordered systems

Jabłoński Ryszard

1996

Text

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych = The study of single crystals and epitaxial layers with the use synchrotron radiation and simulation of diffraction images

Wierzchowski Wojciech

1994

Text

Badania optyczne i ESR monokryształów CaNdAlO4 = Optical and ESR measurement in CaNdAlO4 single crystals

Jabłoński Ryszard

1993

Text

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Kot Waldemar

1985

Text

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals

Jabłoński Ryszard

1988

Text

Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowancy kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC

Surma Barbara

2009

Text

Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique

Dalecki Wojciech

1997

Text

Zastosowanie metody mikroanalizy rentgenowskiej do badania składu chemicznego warstw epitaksjalnych związków potrójnych grupy AIIIBV na przykładzie GA1-xAlxAs = X-ray microanalysis application for the investigation of epitaxial layer chemical composition of AIIIBV group triple compounds with the Ga1-x\alx\as as a representative of this group

Kozłowska Halina

1974

Text

Filters

Number of results: 917

Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5 = The use of ESR method for characterization of paramagnetic defects in semiconductor A3B5 crystals

Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4) = Paramagnetic defects in PbWO4

Udział pracowników ITME w konferencjach 1991 nr 4(76) = ITME employees participation in conferences 1991 nr 4(76)

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV = The investigation of the chemical composition profile and laterial homogenity of AIIIBV quatum wells

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Elektronowy rezonans paramagnetyczny w układach lokalnie uporządkowanych = Electron paramagnetic resonance in local ordered systems

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych = The study of single crystals and epitaxial layers with the use synchrotron radiation and simulation of diffraction images

Badania optyczne i ESR monokryształów CaNdAlO4 = Optical and ESR measurement in CaNdAlO4 single crystals

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals

Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowancy kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC

Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique

Technical contact

Address

Sitemap

Main page

Collections

Indexes

About project

User's account

Recently viewed

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by