Search for: [Subject and Keywords = rezystywność] OR [Subject and Keywords = oporność rozpływu] OR [Subject and Keywords = krzem monokrystaliczny] OR [Subject and Keywords = warstwa epitaksjalna] OR [Title = Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym = High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method] OR [Title = Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym] OR [Creator = Brzozowski Andrzej] OR [Creator = Brzozowski Andrzej]

Number of results: 43

Items per page:

add all to bibliography

of 2 Next

Wpływ stanu powierzchni i krzemu na pomiar rezystywności metodą "oporności rozpływu" = The influence of the surface conditions on the resistivity measurements of silicon by the spreading resistance method

Brzozowski Andrzej

1982

Text

Pomiar warstw epitaksjalnych metoda C-V przy użyciu sondy rtęciowej = Measurements of the epitaxial layers parameters by means of C-V method with Hg probe

Brzozowski Andrzej

1984

Text

Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote

Brzozowski Andrzej

1993

Text

Korekcja profilu rezystywności przy wykorzystaniu metody rezystancji rozpływu = Correction of the resistivity profiles measured by the spreading resistance method

Brzozowski Andrzej

1987

Text

Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe

Brzozowski Andrzej

2008

Text

Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe

Brzozowski Andrzej

2008

Text

Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures

Tomaszewski Jacek

1981

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Automatyczny zestaw pomiarowy dla określania oporności właściwej metodą rozpływu oporności = Automatic measuring system for resistance determining by the spreading resistance method

Cybulski Piotr

1979

Text

Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego = A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon

Sarnecki Jerzy

2014

Book/Chapter

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Sposób wyznaczania rezystywności materiałów stykowych na próbkach w kształcie krążków = Procedure of resistivity assigning of contact materials on samples in form of cicrular plates

Chylińska Maria

1985

Text

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987

Text

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej = The liquid phase epitaxy of Er:YAG layers

Sarnecki Jerzy

1997

Text

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2

Brzozowski Waldemar

1973

Book/Chapter

Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 = Investigation of radiative recombination in GaAs1-xPx epitaxial layers with 0,3<x<0,44

Gładysz Maria

1983

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Silicon ball - OSIRIS charge multiplicity filter

Kordyasz A.J.

1996

Book/Chapter

Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity

Nowysz Karol

1975

Text

Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements =

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1992

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających = Silicon epitaxial layers for microwave tunung diodes

Skwarcz Jerzy

1992

Text

Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw = Investigation of surface of oxide single crystals and possibilities of surface modification for thin films applications

Sakowska Hanna

2001

Text

Filters

Number of results: 43

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by