Search for: [Subject and Keywords = epitaxial layer] OR [Subject and Keywords = porous silicon] OR [Subject and Keywords = CVD] OR [Subject and Keywords = silicon foil] OR [Subject and Keywords = warstwa epitaksjalna] OR [Subject and Keywords = krzem porowaty] OR [Subject and Keywords = CVD] OR [Subject and Keywords = folia krzemowa] OR [Title = Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego = A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon] OR [Title = Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego] OR [Creator = Sarnecki Jerzy] OR [Creator = Sarnecki Jerzy]

Number of results: 62

Items per page:

add all to bibliography

of 3 Next

Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym = Silicon epitaxial deposited porous silicon for photovoltaic applications

Lipiński Dariusz

2012

Text

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej = The liquid phase epitaxy of Er:YAG layers

Sarnecki Jerzy

1997

Text

Otrzymywanie epitaksjalnych warstw granatów dla techniki laserowej = Growth of garnet epitaxial layers for laser technique

Sarnecki Jerzy

2005

Text

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2

Brzozowski Waldemar

1973

Book/Chapter

Epitaksja krzemu na krzemie porowatym = Silicon epitaxy over porous silicon

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1995

Text

Wpływ getterowania laserowego na czas życia nośników mniejszościowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej = The effect of laser gettering on minority carier-lifetime in silicon epitaxial layers

Sarnecki Jerzy

1991

Text

Wpływ parametrów technologicznych na właściwości epitaksjalnych warstw węglowych osadzanych z fazy gazowej na podłożach krzemowych = Effect of technological parameters on the properties of carbon epitaxial layers deposited from the GaS phase on silicon substrates

Żelazko Jarosław

2004

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties

Strupiński Włodzimierz

1985

Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

Badania zależności składu i struktury chemicznie osadzonych warstw azotku krzemu od parametrów procesu technologicznego = Investigation of chemically deposited Si3N4 films composition and structure-depending on technological process parameters

Skrzynecka Irena

1974

Text

Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej = The modeling of the CVD epitaxial process

Korec Jacek

1985

Text

Warstwy epitaksjalne GaAs1-xPx dla przyrządów świecących = GaAs1-xPx epitaxial layers for lighting diodes

Brzozowski Waldemar

1974

Text

Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju = Silicon epitaxy. Trends

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1984

Text

Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu = Masking investigation of silicon thermal oxidation process by chemically deposited Si3N4 films

Skrzynecka Irena

1975

Text

Polymer luminescent concentrators containing oxide nanocrystals doped with rare-earth elements matched to an edge-illuminated silicon solar cell

Sarnecki Jerzy

2015

Text

Określenie koncentracji współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG = Determination of concentration and the segregation of active rare earth ions in YAG epitaxial layers and waveguide structures

Sarnecki Jerzy

2012

Text

Wpływ składu roztworu wysokotemperaturowego na wartościowość jonów metali przejściowych w warstwach epitaksjalnych YAG i GGG = The influence of high temperature solution composition on transition metal ions valency in YAG and GGG epitaxial layers

Sarnecki Jerzy

2009

Text

Epitaksja z fazy ciekłej struktur mikrolaserowych Cr,Mg:YAG/Yb:YAG = Liquid phase epitaxy growth of Vr,Mg:YAG/Yb:YAG microlaser structures

Sarnecki Jerzy

2007

Text

Określenie koncentracji jonów Ga3+ w cienkich warstwach magnetycznych grantów = Determination of the concentration of Ga3+ jons in thin magnetic garnet films

Sarnecki Jerzy

1982

Text

Rozpuszczalność granatu itrowo-glinowego w topniku PbO/B203 = Solubility of ytrrium - aluminum garnet in PbO/B2O3 flux

Sarnecki Jerzy

2013

Book/Chapter

Falowodowe struktury laserowe Yb, Nd:YAG/YAG = The Yb, Nd:YAG/YAG structures for waveguide lasers

Sarnecki Jerzy

2002

Text

Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG = Liquid phase epitaxial growth and characterization of Nd:YAG/YAG waveguide laser structures

Sarnecki Jerzy

2000

Text

Silicon for MST applications

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1996

Book/Chapter

Filters

Number of results: 62

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by