Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic journal \- materials] OR [Subject and Keywords = SI GaAs] OR [Subject and Keywords = struktura defektowa] OR [Subject and Keywords = ILT PITS] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopisma \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = SI GaAs] OR [Subject and Keywords = struktura defektowa] OR [Subject and Keywords = ILT PITS] OR [Title = Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a] OR [Title = Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a] OR [Creator = Pawłowski, Michał] OR [Creator = Pawłowski Michał]

Number of results: 918

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals

Jabłoński Ryszard

1988

Text

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs = X-ray investigation of semi-insulating GaAs single crystals

Wierzchowski Wojciech

1988

Text

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1988

Text

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method

Hruban Andrzej

2012

Text

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych = Semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs) for MESFET's and integrated circuits

Hruban Andrzej

1990

Text

Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter

Orłowski, Wacław

1995

Text

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu = Influence of carbon on semi-insulating GaAs crystals

Strzelecka Stanisława

1996

Text

Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs = Investigation of absorption spectra of Si GaAs

Surma Barbara

1994

Text

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors

Kozłowski Roman

2001

Text

Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates

Hruban Andrzej

2013

Text

Wpływ pola magnetycznego na proces monokrystalizacji krzemu metodą Czochralskiego = Effect of magnetic field on Czochralski monocrystallisation of silicon

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =

Pawłowski Michał

2004

Text

Dwuwymiarowość widm w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =Two-dimensional spectra in photoinduced transient spectroscopy

Pawłowski Michał

2000

Text

Zastosowanie transformacji Hough'a do analizy dwuwymiarowych widm PITS = Implantation of the hough transformation to the analysis of two-dimensional PITS spectra

Pawłowski Michał

2006

Text

Zastosowanie procedury korelacyjnej z wieloimpulsowymi funkcjami wagowymi do dwuwymiarowej analizy widmowej w niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Application of the correlation procedure with multipulse weighting functions to the two-dimensional spectral analysis in photoinduced transient spectroscopy PITS

Pawłowski Michał

2001

Text

Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS

Pawłowski Michał

2012

Text

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Kamiński, Paweł

1991

Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Book/Chapter

Electronic Materials

2020

Book/Chapter

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014

Book/Chapter

Spis treści 2013 T. 41 nr 4 = Contents 2013 T.41 nr 4

2013

Book/Chapter

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition / Rafał Stankiewicz, Anna PiDatkowska.

Stankiewicz, Rafał.

2018.

Book/Chapter

Filters

Number of results: 918

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by