Search for: [Subject and Keywords = Electronic\- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = GaAs] OR [Subject and Keywords = CVD] OR [Subject and Keywords = homoepitaxy] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materialy elektroniczne] OR [Subject and Keywords = GaAs] OR [Subject and Keywords = CVD] OR [Subject and Keywords = warstwa epitaksjalna] OR [Title = Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga\-AsCl3\-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga\-AsCl3\-H2] OR [Title = Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga\-AsCl3\-H2] OR [Creator = Brzozowski Waldemar] OR [Creator = Brzozowski Waldemar]

Number of results: 922

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Układy scalone z arsenku galu = GaAs integrated circuits

Marciniak Wiesław

1990

Text

Arsenek galu : z doświadczeniem ku przyszłości = Gallium arsenide: with experience towards future

Rosiński Witold

1990

Text

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Milwidskij M.G.

1976

Text

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET = GaAs diagnostics for MESFET's

Kot Waldemar

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals

Pawłowska Marta

1988

Text

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 1 =

Nishizawa Jun-ichi

1996

Text

Impulsowe wygrzewanie implantowanego arsenku galu = Rapid thermal annealing of imolanted galium arsenide

Rosiński Witold

1996

Text

Siła piezotermoelektryczna w arsenku galu typu p = The piezothermoelectric force in the gallium arsenide type p

Swiridow Iwan

1973

Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Problemy związane z jakością arsenku galu w technologii dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych

Pietras Edward

1977

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1992 nr 1(77) = ITME employees participationin conferences 1992 nr 1(77)

1992

Text

Wpływ wyjściowego arsenku galu na moc promieniowania dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych = The influence of initial gallium arsenide parameters on power emitted by light-emitting diodes

Kowalski Jerzy

1975

Text

MMIC'S on gallium arsenide developed in the Institute of Electronic Materials Technology

Dobrzański Lech

1992

Text

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Badania wysokooporowego arsenku galu = Investigations of high-resistivity gallium arsenide

Nowysz Karol

1973

Text

Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE = Optimalization of doping profile in GaAs epilayers obtained by MOVPE and HVPE methods

Strupiński Włodzimierz

1993

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą skaningowej i prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers of GaAs1-x Px/GaAs by means of scanning and transmission electron microscopy

Drabik Wojciech

1983

Text

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs = Determination of internal quantum efficiency of radiative recombination in GaAs single crystals from photoluminescence measurements of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructures

Bugajski Maciej Jagoda Andrzej Szymański Leszek

1976

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rupniewski Wojciech

1976

Text

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Drabik Wojciech

1983

Text

Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji = The investigation of low dislocation GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1990

Text

Określenie koncentracji chromu w GaAs metodą EPR = Estimation of the concentration on the Cr2+ Cr3+ ions in the gallium arsenide crystals

Jabłoński Ryszard

1986

Text

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals

Jabłoński Ryszard

1988

Text

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs = X-ray investigation of semi-insulating GaAs single crystals

Wierzchowski Wojciech

1988

Text

Filters

Number of results: 922

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by