Search for: [Subject and Keywords = laser diode] OR [Subject and Keywords = laser beam] OR [Subject and Keywords = heterostructure] OR [Subject and Keywords = directional characteristics of emission] OR [Subject and Keywords = dioda laserowa] OR [Subject and Keywords = wiązka laserowa] OR [Subject and Keywords = heterostruktura] OR [Subject and Keywords = charakterystyki kierunkowe emisji] OR [Title = Towards improvement of beam quality of wide\-stripe high\-power laser diodes] OR [Title = Towards improvement of beam quality of wide\-stripe high\-power laser diodes] OR [Creator = Maląg Andrzej] OR [Creator = Maląg Andrzej]

Number of results: 27

Items per page:

add all to bibliography

of 2 Next

Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii = Dynamics of active region self-heating in laser diodes based on symmetric and asymmetric heterostructure design - a comparison by time-resolved spectroscopy

Maląg Andrzej

2008

Text

Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy = High power laser diodes - design optimisation issues

Maląg Andrzej

2007

Text

Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm = The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band

Dąbrowska Elżbieta

2012

Text

Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn = Investigation of solder - induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn

Dąbrowska Elżbieta

2009

Text

Możliwości modyfikacji charakterystyk promieniowania laserów półprzewodnikowych przez superpozycję naprężeń w warstwie aktywnej = On the possibility of modification of semiconductor laser emission characteristics by strain superposition in active region

Maląg Andrzej

2002

Text

Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation

Dąbrowska Elżbieta

2014

Book/Chapter

Mirror arrays for laser beam deflection

Kurth Steffen

1998

Book/Chapter

Analiza właściwości dwuwiązkowego interferometru siatkowego z laserem półprzewodnikowym. = Analysis of the properties of double - beam grating interferometer with semiconductor laser

Kozłowska Anna

1997

Text

Thermal residual stress state in laser diode/heatsink joint systems depending on the properties of the heatsink material. FEM analysis

Kaliński Dariusz

2002

Text

Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych = Evaluation of the mounting quality of laser diodes emitting at 808nm by thermal resistance and spectral characteristics measurements

Dąbrowska Elżbieta

2011

Text

Dynamika procesów cieplnych zachodzących w obszarze aktywnym liniowych matryc diod laserowych = Thermal processes dynamics in active regions of laser diodes in linear arrays

Wróbel Sylwia

2000

Text

Analiza profilu rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego w przypadku jednowymiarowej modulacji składu chemicznego. Praca doktorska = Analysis of the X-ray diffraction pattern profile in the case of one-dimensional modulation of the chemical composition

Gaca Jarosław

1997

Book/Chapter

Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie = The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers

Wójcik Marek

2008

Text

Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych = Novel technologies of manufacturing of semiconductor structures

Bugajski Maciej

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wesołowski Marek

2007

Text

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Lenkiewicz D.

2007

Text

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well

Kamiński Paweł

2007

Text

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy

Jasik Agata

1998

Text

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs = Determination of internal quantum efficiency of radiative recombination in GaAs single crystals from photoluminescence measurements of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructures

Bugajski Maciej Jagoda Andrzej Szymański Leszek

1976

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rupniewski Wojciech

1976

Text

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Wójcik Marek

2012

Text

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Drabik Wojciech

1983

Text

Kryształy Yb:Sr3Y(BO3)3 do budowy pompowanych diodowo laserów femtosekundowych = Yb:Sr3Y(BO3)3 single crystals for diode pumped femtosecond lasers

Szyrski Włodzimierz

2004

Text

Badanie możliwości otrzymywania monokryształów tlenków żelaza i niklu metodą transportu materiału w łuku elektrycznym prądu stałego = Research in receiving of ferric and nickel oxide by the method of material transport in d.c. electric arc.

Gwelesjani G.G.

1976

Text

Filters

Number of results: 27

Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy = High power laser diodes - design optimisation issues

Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm = The investigation of degradation of laser diodes emitting at 880 nm band

Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn = Investigation of solder - induced strains in laser diodes soldered by indium or eutectic AuSn

Możliwości modyfikacji charakterystyk promieniowania laserów półprzewodnikowych przez superpozycję naprężeń w warstwie aktywnej = On the possibility of modification of semiconductor laser emission characteristics by strain superposition in active region

Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation

Mirror arrays for laser beam deflection

Analiza właściwości dwuwiązkowego interferometru siatkowego z laserem półprzewodnikowym. = Analysis of the properties of double - beam grating interferometer with semiconductor laser

Thermal residual stress state in laser diode/heatsink joint systems depending on the properties of the heatsink material. FEM analysis

Ocena jakości montażu diod laserowych na pasmo 808 nm poprzez pomiar rezystancji termicznej i charakterystyk spektralnych = Evaluation of the mounting quality of laser diodes emitting at 808nm by thermal resistance and spectral characteristics measurements

Dynamika procesów cieplnych zachodzących w obszarze aktywnym liniowych matryc diod laserowych = Thermal processes dynamics in active regions of laser diodes in linear arrays

Analiza profilu rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego w przypadku jednowymiarowej modulacji składu chemicznego. Praca doktorska = Analysis of the X-ray diffraction pattern profile in the case of one-dimensional modulation of the chemical composition

Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie = The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers

Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych = Novel technologies of manufacturing of semiconductor structures

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Kryształy Yb:Sr3Y(BO3)3 do budowy pompowanych diodowo laserów femtosekundowych = Yb:Sr3Y(BO3)3 single crystals for diode pumped femtosecond lasers

Badanie możliwości otrzymywania monokryształów tlenków żelaza i niklu metodą transportu materiału w łuku elektrycznym prądu stałego = Research in receiving of ferric and nickel oxide by the method of material transport in d.c. electric arc.

Technical contact

Address

Sitemap

Main page

Collections

Indexes

About project

User's account

Recently viewed

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by