Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = MOCVD] OR [Subject and Keywords = heterostructure] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = MOCVD] OR [Subject and Keywords = heterostruktura] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Title = Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology] OR [Title = Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD] OR [Creator = Wesołowski Marek] OR [Creator = Wesołowski Marek]

Number of results: 919

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Jasik Agata

1997

Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995

Text

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Świderski Jarosław

1976

Text

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Piga Witold

1983

Text

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976

Text

Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-xCdxTe) za pomocą wykonanych fotodiod = Characterization of mercury cadmium telluride (Hg, Cd, Te) epitaxial layers using the manufacturing photodiodes

Królicka Aleksandra

2011

Text

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds

Pawłowska Joanna

2008

Text

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Jabłoński Ryszard

1986

Text

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Otto Elżbieta

1981

Text

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV = The investigation of the chemical composition profile and laterial homogenity of AIIIBV quatum wells

Gaca Jarosław

2005

Text

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Pietras Edward

1973

Book/Chapter

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Kamiński, Paweł

1991

Text

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Palczewska Maria

1995

Text

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3

Nishizawa Jun-ichi

1997

Text

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych = The study of single crystals and epitaxial layers with the use synchrotron radiation and simulation of diffraction images

Wierzchowski Wojciech

1994

Text

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds

Dumiszewska Ewa

2011

Text

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Kot Waldemar

1985

Text

Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique

Dalecki Wojciech

1997

Text

Zastosowanie metody mikroanalizy rentgenowskiej do badania składu chemicznego warstw epitaksjalnych związków potrójnych grupy AIIIBV na przykładzie GA1-xAlxAs = X-ray microanalysis application for the investigation of epitaxial layer chemical composition of AIIIBV group triple compounds with the Ga1-x\alx\as as a representative of this group

Kozłowska Halina

1974

Text

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV = X-Ray difraction analysis of the coherency strain in semiconductor AIIIBV layer structures

Sass Jerzy

2000

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Lenkiewicz D.

2007

Text

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well

Kamiński Paweł

2007

Text

Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych = Novel technologies of manufacturing of semiconductor structures

Bugajski Maciej

1990

Text

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds

Kozłowski Roman

1998

Text

Filters

Number of results: 919

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-xCdxTe) za pomocą wykonanych fotodiod = Characterization of mercury cadmium telluride (Hg, Cd, Te) epitaxial layers using the manufacturing photodiodes

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV = The investigation of the chemical composition profile and laterial homogenity of AIIIBV quatum wells

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych = The study of single crystals and epitaxial layers with the use synchrotron radiation and simulation of diffraction images

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV = X-Ray difraction analysis of the coherency strain in semiconductor AIIIBV layer structures

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well

Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych = Novel technologies of manufacturing of semiconductor structures

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds

Technical contact

Address

Sitemap

Main page

Collections

Indexes

About project

User's account

Recently viewed

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by