Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- material] OR [Subject and Keywords = Electronic materials] OR [Subject and Keywords = photoluminescence] OR [Subject and Keywords = GaP] OR [Subject and Keywords = native defects] OR [Subject and Keywords = Hall measurements] OR [Subject and Keywords = ESR] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = fotoluminescencja] OR [Subject and Keywords = GaP] OR [Subject and Keywords = defekt samoistny] OR [Subject and Keywords = Hall] OR [Subject and Keywords = ESR] OR [Title = Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowancy kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC] OR [Title = Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowanych kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC] OR [Creator = Surma Barbara] OR [Creator = Surma Barbara]

Number of results: 918

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties

Strupiński Włodzimierz

1985

Text

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Strzelecka, Stanisława

2006

Text

Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej = The production of thin GaP lauers by vapour phase epitaxy

Strupiński Włodzimierz

1988

Text

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Text

Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni = Determination of carbon concentration in GaP single crystals from absorption spectra in infrared range

Strzelecka Stanisława

2007

Text

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni = Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisław

2009

Text

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds

Dumiszewska Ewa

2011

Text

Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction

Orłowski Wacław

2010

Text

Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP = Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisława

2009

Text

Własności linii wW w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami = Optical properties of W line for neutron irradiated MCz-Si and FZ-Si

Surma Barbara

2010

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1991 nr 4(76) = ITME employees participation in conferences 1991 nr 4(76)

1991

Text

Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs = Investigation of absorption spectra of Si GaAs

Surma Barbara

1994

Text

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Pawłowski Mariusz

2008

Text

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Palczewska Maria

1995

Text

Elektronowy rezonans paramagnetyczny w układach lokalnie uporządkowanych = Electron paramagnetic resonance in local ordered systems

Jabłoński Ryszard

1996

Text

Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4) = Paramagnetic defects in PbWO4

Jabłoński Ryszard

1997

Text

Badania optyczne i ESR monokryształów CaNdAlO4 = Optical and ESR measurement in CaNdAlO4 single crystals

Jabłoński Ryszard

1993

Text

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals

Jabłoński Ryszard

1988

Text

Fotoluminescencja krzemu porowatego = Photoluminescence from porous silicon

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1993

Text

Wyjaśnienie całkowitego i ułamkowego zjawiska Halla = Explanation of integer and of fractional Hall effect

Wadas Romuald S

1988

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1994 T.22 nr 2 = ITME employees participation in conference 1994 T.22 nr 2

1994

Text

Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5 = The use of ESR method for characterization of paramagnetic defects in semiconductor A3B5 crystals

Palczewska Maria

1993

Text

Urządzenie adaptujące wyniki pomiaru Halla do rejestratora X - Y = Device enduring the presentation of results of Hall parameters measurements using an X-Y recorder

Matusewicz Stefan

1979

Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Book/Chapter

Electronic Materials

2020

Book/Chapter

Filters

Number of results: 918

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by