Search for: ([Subject and Keywords = Electronic \- journal \- material] OR [Subject and Keywords = Electronic materials] OR [Subject and Keywords = ellipsometric studies] OR [Subject and Keywords = implanted silicon] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = elipsometria] OR [Title = Badania elipsometryczne krzemu implantowanego fosforem = Ellipsometric studies of P\+ implanted silicon] OR [Title = Badania elipsometryczne krzemu implantowanego fosforem] OR [Creator = Gawlik Grzegorz] OR [Creator = Gawlik Grzegorz])

Number of results: 922

Items per page:

add all to bibliography

Prev of 39 Next

Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu = Effect of photon flux on HRPITS spectral images for radiation defect centers in silicon single crystals

Kozłowski Roman

2010

Text

Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs = Investigation of absorption spectra of Si GaAs

Surma Barbara

1994

Text

Wpływ warunków implantacji i obróbki cieplnej na strukturę stopów żelaza. Praca doktorska = Influence of the implantation and heat treatment condictions on the structure of ion alloys

Gawlik Grzegorz

1996

Book/Chapter

Badania zależności składu i struktury chemicznie osadzonych warstw azotku krzemu od parametrów procesu technologicznego = Investigation of chemically deposited Si3N4 films composition and structure-depending on technological process parameters

Skrzynecka Irena

1974

Text

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych = The study of single crystals and epitaxial layers with the use synchrotron radiation and simulation of diffraction images

Wierzchowski Wojciech

1994

Text

Niektóre problemy związane z jakością materiału wyjściowego w technologii krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Some problems of starting material quality in silicon devices technology

Pietras Edward

1975

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających = Silicon epitaxial layers for microwave tunung diodes

Skwarcz Jerzy

1992

Text

Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu = Masking investigation of silicon thermal oxidation process by chemically deposited Si3N4 films

Skrzynecka Irena

1975

Text

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals

Jabłoński Ryszard

1988

Text

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method

Tymicki Emil

2012

Text

Zastosowanie Fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni do badania interfejsu SiO2//Si w łączonych strukturach SOI = Infrared spectroscopic analysis of the SiO2??Si interface of SOI structures

Możdżonek Małgorzata

2008

Text

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Kozubal Michał

2006

Text

SiC Schottky barrier rectifiers - theory and practice = Diody prostownicze Schottky'ego z węglika krzemu Teoria i praktyka

Synowiec Zdzisław

2004

Text

Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si = Application of transmission X-ray topography in the non-parallel system of biocrystal spectrometer for homoepitaxial Si layers investigations

Sass Jerzy

1974

Text

Metodyka badania warstw epitaksjalnych krzemu za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego z zastosowaniem map linii Kikuchi = The method of study for the silicon epitaxial monolayers by means of transmission electron microscope with use of Kikuchi lines map

Rupniewski Wojciech

1979

Text

Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień = Electron traps in silicon annealed under high pressure

Kamiński Paweł

1996

Text

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii

Kamiński Paweł

2010

Text

Metody ujawniania, klasyfikacja i ocena struktury defektów typu SWIRLS w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu, otrzymywanych metodą beztyglowego topienia strefowego = The methods of revealing, clasification and "swirls" defects in the dislocation free float-zone silicon crystals

Jeske Witlod

1976

Text

Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote

Brzozowski Andrzej

1993

Text

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs = X-ray investigation of semi-insulating GaAs single crystals

Wierzchowski Wojciech

1988

Text

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1988

Text

Wyniki badania warstw MoMnFeSi spiekanych na ceramice alundowej = Sintered layers of MoMnFeSi on alumina ceramics - the results of research

Włosiński Władysław

1975

Text

Filters

Number of results: 922

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by