Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- material] OR [Subject and Keywords = Electronic materials] OR [Subject and Keywords = ESR] OR [Subject and Keywords = SI GaAs] OR [Subject and Keywords = SI Ing] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = ESR] OR [Subject and Keywords = SI GaAs] OR [Subject and Keywords = SI Ing] OR [Title = Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron\-irradiated InP and GaAs crystals] OR [Title = Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami] OR [Creator = Jabłoński Ryszard] OR [Creator = Jabłoński Ryszard]

Number of results: 918

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs = X-ray investigation of semi-insulating GaAs single crystals

Wierzchowski Wojciech

1988

Text

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1988

Text

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method

Hruban Andrzej

2012

Text

Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a

Pawłowski, Michał

2006

Text

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych = Semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs) for MESFET's and integrated circuits

Hruban Andrzej

1990

Text

Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter

Orłowski, Wacław

1995

Text

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu = Influence of carbon on semi-insulating GaAs crystals

Strzelecka Stanisława

1996

Text

Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs = Investigation of absorption spectra of Si GaAs

Surma Barbara

1994

Text

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors

Kozłowski Roman

2001

Text

Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates

Hruban Andrzej

2013

Text

Wpływ pola magnetycznego na proces monokrystalizacji krzemu metodą Czochralskiego = Effect of magnetic field on Czochralski monocrystallisation of silicon

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Elektronowy rezonans paramagnetyczny w układach lokalnie uporządkowanych = Electron paramagnetic resonance in local ordered systems

Jabłoński Ryszard

1996

Text

Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4) = Paramagnetic defects in PbWO4

Jabłoński Ryszard

1997

Text

Badania optyczne i ESR monokryształów CaNdAlO4 = Optical and ESR measurement in CaNdAlO4 single crystals

Jabłoński Ryszard

1993

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1991 nr 4(76) = ITME employees participation in conferences 1991 nr 4(76)

1991

Text

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Pawłowski Mariusz

2008

Text

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Palczewska Maria

1995

Text

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Jabłoński Ryszard

1986

Text

Badanie cienkich warstw magnetycznych granatów metodą FMR = Investigation of thin magnetic films by FMR method

Jabłoński Ryszard

1982

Text

Numeryczne metody określania parametrów cienkich warstw magnetycznych granatów = The method of calculation of magnetic anisotropy constants in YIG layer

Jabłoński Ryszard

1995

Text

Widma rezonansu spinowego (ESR) w materiałach tlenkowych = Electron SPIN resonance spectra of oxide single crystals

Jabłoński Ryszard

1993

Text

Widmo EPR transmutowanego krzemu = EPR spectra in neutron-irradiated silicon

Jabłoński Ryszard

1984

Text

Filters

Number of results: 918

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by