Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 2 Next

Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion / Andrzej Materna.

Materna Andrzej

2017

Book/Chapter

Selection of parameters used in thermal reduction process of nanosilver powder precursor aimed at obtaining optimal structure of silver crystallites

Pawłowski Radosław

2015

Book/Chapter

Generacja defektów w czasie dyfuzji cynku do arsenku galu = Generation of defects during zinc diffusion in gallium arsenide

Pietras Edward

1975

Text

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs = Determination of internal quantum efficiency of radiative recombination in GaAs single crystals from photoluminescence measurements of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructures

Bugajski Maciej Jagoda Andrzej Szymański Leszek

1976

Text

Wpływ warunków polerowania na chropowatość powierzchni płytek krzemowych = Influence of polishing condictins on surface roughness of silicon wafers

Czerwińska Anna

1978

Text

The use of thermal mapping in evaluation of mechanically induced electrical degradation of graphene - based transparent heaters

Kozłowska Anna

2017

Book/Chapter

Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements =

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1992

Text

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych = Semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs) for MESFET's and integrated circuits

Hruban Andrzej

1990

Text

Syntezy wysokociśnieniowe kryształów o strukturze typu diamentu i ich struiktura atomowa w świetle badań rentgenowskich = High pressure synthesis of diamond type structure phase and their atomic structure

Badzian Andrzej

1984

Text

Chromatograficzne metody analizy mieszanin gazowych H2+5% PH3, H2+10% AsH, H2+0,05% H2Se. Zastosowanie chromatografu z defektorem helowym w analizie gazów do celów półprzewodnikowych = Chromatographic methods of analysis of H2+5% PH3, H2+10% AsH3, H2+0,05% H2Se gas. The use of chromatography with a helicum detector in the analysis of gases for semiconductor manufacturing

Wolnik Irena

1977

Text

Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu = On some properties of "antisite" defects in neutron irradiated GaAs

Wosik Jarosław

1986

Text

Badania modelowe morfologii mieszanin proszków Ag-C uzyskanych w procesie mechanicznej syntezy = Modelling investigation of morphology for Ag-C powders mixtures created by mechanical alloying process

Gładki Andrzej

2010

Text

Nowe kompozyty grubowarstwowe o obniżonej temperaturze spiekania przeznaczone na kontakty ogniwa słonecznego = New thick film composites of lower sintering temperature for ohimic contacts for sollar cells

Młożniak Anna

2009

Text

Przegląd samoorganizujących się struktur eutektycznych metal-tlenek dla zastsowań w fotonice = Review on self-organized metal-metal oxide EUTECTIC microstructures for photonics

Sadecka Katarzyna

2009

Text

Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów = The measurement circuit for defect centers investigation by the method of the deep levels transient capacitance spectroscopy

Lamperski Jan

1983

Text

Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji = Modification of mechanical-chemical treatment technology of epi-ready GaSb substrates

Smoczyński, Dariusz

2014

Book/Chapter

Comparison of thermoelectric properties of polycrystalline and sintered PbTe doped with chromium and iodine

Królicka Aleksandra

2014

Book/Chapter

The measurement of thermally induced in-plane displacements using fibre-optic grating interferometry

Kozłowska Anna

1997

Book/Chapter

Silicon for MST applications

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1996

Book/Chapter

Wzrost kryształów profilowanych z fazy ciekłej. Cz. II Krystalizacja taśm krzemowych metodą EFG = Growth of profile crystals from the melt. Part II: Crystallization of silicon ribbons by EFG method

Jakubicki Wojciech

1977

Text

Kompozycje epoksydowe stosowane w procesie montażu filtrów z akustyczną falą powierzchniową = Epoxy compositions applied for essembly of SAW filters

Niewczas Bogumiła

1991

Text

Elektronowy rezonans paramagnetyczny jonów o spinie 7/2 w polu krystalicznym o symetrii tetragonalnej = Electron paramegnetic resonance of ions with SPIN S=7/2 in tetragonal crystal field

Jabłoński Ryszrad

1999

Text

Komunikat : urządzenie do spiekania pod ciśnieniem proszków Al2O3 = Report: on equipment for Al2O3 powders sintering under pressure

Sterma Franciszek

1975

Text

Badania nad szybkością dyfuzji węgla w stopie żelaza z niklem i kobaltem-FeNi29Co17 (kowar) = Investigation of rate carbon diffusion in the iron-nickel-cobalt alloy FeNi29Ca17/Kovar/

Małecki Jerzy

1975

Text

Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity

Nowysz Karol

1975

Text

1
2
of
2

This page uses 'cookies'. More information