Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 10 Next

Przegląd metod otrzymywania materiałów plazmonicznych oraz wybranych alternatywnych materiałów = Overview of fabrication methods of plasmonic materials and selected alternative materials for plasmonic applications

Korzeb, Karolina

2014

Book/Chapter

Analysis of crystal lattice deformation in the vicinity of dislocation

Jóźwik Przemysław

2015

Text

Selection of parameters used in thermal reduction process of nanosilver powder precursor aimed at obtaining optimal structure of silver crystallites

Pawłowski Radosław

2015

Book/Chapter

Solution growth of 3C-SiC by TSSG method

Raczkiewicz Marcin

2015

Text

Spis treści. T.43 Nr 2 [2015]

Electronic Materials

2015

Text

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Milwidskij M.G.

1976

Text

Polikrystaliczna ceramika korundowa = Polycrystalline alumina ceramic

Radziszewska-Kępka Ewa

1976

Text

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

Badanie układu 4,4' dwuheksyloksyazoksybenzen - 4,4' azoksyanizol metodą termicznej analizy różnicowej = Investigation of 4,4' - dihexyloxyazaxybenzene - 4,4' - azoxyanisole system by by differential thermal analysis

Pyżuk Wiesław

1976

Text

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1991 nr 2(74)

1991

Text

Układy scalone z arsenku galu = GaAs integrated circuits

Marciniak Wiesław

1990

Text

Konstruktcja i technologia tranzystora MESFET = Design and manufacturing of MESFET transistor

Dobrzański Lech

1990

Text

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET = GaAs diagnostics for MESFET's

Kot Waldemar

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Arsenek galu : z doświadczeniem ku przyszłości = Gallium arsenide: with experience towards future

Rosiński Witold

1990

Text

Spis treści 1990 nr 2(70) = Content 1990 nr 2(70)

1993

Text

Galwaniczne powłoki metali szlachetnych w elektronice = Noble metal electroplating

Najdeker Eugeniusz

1989

Text

Ceramika w elektronice - przegląd zastosowań i wybranych zagadnień technologicznych = Ceramics in electronics - review of application and several

Librant Zdzisław

1989

Text

Spis treści 1989 nr 2(66) = Contents 1989 nr 2(66)

1989

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties

Strupiński Włodzimierz

1985

Text

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

Badania zmian morfologicznych produktów rozkładu parawolframianu amonowego = On the morphology products of thermal decompositions of ammonium paratungstate

Ważyńska Barbara

1985

Text

1
2
of
10

This page uses 'cookies'. More information