Materiały Elektroniczne 1978 nr 3(23)
Pawłowska Marta ; Wierzchowski Wojciech ; Wąsowski Jan
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
s. 28-[52] : il. ; Bibliogr. s. [52]
ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
2 paź 2020
31 gru 2012
1446
https://rcin.org.pl/itme/publication/11366
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Hofman Władysław, Badanie defektów krystalograficznych generowanych w trakcie operacji wytwarzania tranzystora p-n-p | 2 paź 2020 |
Hofman Władysław