Potencjalne możliwości zastosowań polaryskopu liniowego do badań naprężeń i defektów strukturalnych w materiałach półprzewodnikowych = Potentialities of the plane polariscope for studing of residual stress and crystallographic defects in semiconductors - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Potencjalne możliwości zastosowań polaryskopu liniowego do badań naprężeń i defektów strukturalnych w materiałach półprzewodnikowych = Potentialities of the plane polariscope for studing of residual stress and crystallographic defects in semiconductors

Pobierz

Tytuł: Potencjalne możliwości zastosowań polaryskopu liniowego do badań naprężeń i defektów strukturalnych w materiałach półprzewodnikowych = Potentialities of the plane polariscope for studing of residual stress and crystallographic defects in semiconductors

Twórca:

Adamkiewicz Grażyna

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1988 nr 2(62)

Współtwórca:

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Miejsce wydania:

Opis:

s. 17-26 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 26

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:9941

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - journal - material Electronic materials plane polariscope strain semiconductor wafer

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki > Materiały Elektroniczne

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

9 sie 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

486

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl/itme/publication/12689

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Adamkiewicz Grażyna, Potencjalne możliwości zastosowań polaryskopu liniowego do badań naprężeń i defektów strukturalnych w materiałach półprzewodnikowych	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Symetria odkształceń sieci monokryształów o orientacji <111> otrzymanych metodą Czochralskiego = Symmetry of strain in <111> oriented Czochralski-grown crystals

Adamkiewicz Grażyna

1987

Text

Układ polaryskopu optycznego do bdań naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = Plane polariscope for photoelastic measurement of semiconductors

Adamkiewicz, Grażyna

1985

Text

Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego = Studies of residual stress in Czochralski-grown crystals

Adamkiewicz Grażyna

1986

Text

Zastosowanie formuły Robertsona do wyznaczania wielkości naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = The use of Robertson's formula for the evaluation of stress in semiconductor materials

Bajor Andrzej

1987

Text

Możliwości modyfikacji charakterystyk promieniowania laserów półprzewodnikowych przez superpozycję naprężeń w warstwie aktywnej = On the possibility of modification of semiconductor laser emission characteristics by strain superposition in active region

Maląg Andrzej

2002

Text

Fotometryczna metoda pomiaru naprężeń w materiałach półprzewodnikowych = Intensity method for stress measurement of semiconductors

Bajor Andrzej

1985

Text

Inżynieria Materiałów Elektronicznych. II Seminarium zorganizowane pod patronatem KBN 16 grudnia 1997 roku

1997

Text

Teoretyczna i doświadczalna analiza naprężeń cieplnych i resztkowych w wybranych kryształach tlenkowych = Theoretical and experimental analysis of thermal and residual stresses in some oxide single crystals

Gałązka Zbigniew

1998

Text

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji