Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw = Investigation of surface of oxide single crystals and possibilities of surface modification for thin films applications - Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw = Investigation of surface of oxide single crystals and possibilities of surface modification for thin films applications

Download

Title: Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw = Investigation of surface of oxide single crystals and possibilities of surface modification for thin films applications

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2001 T.29 nr 3/4

Publisher:

Place of publishing:

Description:

36-55 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 54-55

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:17670

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - materials Electronic- materials substrate surface oxide single crystal

Object collections:

Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Electronic Materials

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Nov 27, 2012

Number of object content downloads / hits:

3419

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/itme/publication/15546

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Sakowska Hanna, Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw	Oct 2, 2020

Objects Similar

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987

Text

Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej = The liquid phase epitaxy of Er:YAG layers

Sarnecki Jerzy

1997

Text

Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures

Tomaszewski Jacek

1981

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity

Nowysz Karol

1975

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information