Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Obiekt

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

Pobierz

Tytuł: Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

Twórca:

Pawłowski Mariusz

Data wydania/powstania:

2008

Typ zasobu:

Tekst

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 1

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Opis:

70-86 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 85

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

36

Zeszyt:

1

Strona pocz.:

70

Strona końc.:

86

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:7057

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty

Temat i słowa kluczowe:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały ESR polityka SiC

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

28 cze 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

4881

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl/itme/publication/15956

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie RDFa:

RDFa

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Pawłowski Mariusz, Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC 2 paź 2020

Obiekty Podobne

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

Tymicki Emil

2012
Tekst

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi

Sakowska Halina

2012
Tekst

SiC die-substrate connections for high temperature applications

Szczepański Zbigniew

2009
Tekst

SiC Schottky barrier rectifiers - theory and practice

Synowiec Zdzisław

2004
Tekst

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Kamiński Paweł

2010
Tekst

Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metoda chemicznego barwienia

Przyborowska Krystyna

2011
Tekst

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN

Caban Piotr

2008
Tekst

Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej

Brzozowski Andrzej

2008
Tekst
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji