Wpływ wybranych zanieczyszczeń metalicznych na niektóre parametry elektryczne i perfekcję strukturalną krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of selected metallic contamination impurities on some electrical parameters and structural perfection of silicon epitaxial layers - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Wpływ wybranych zanieczyszczeń metalicznych na niektóre parametry elektryczne i perfekcję strukturalną krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of selected metallic contamination impurities on some electrical parameters and structural perfection of silicon epitaxial layers

Pobierz

Tytuł: Wpływ wybranych zanieczyszczeń metalicznych na niektóre parametry elektryczne i perfekcję strukturalną krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of selected metallic contamination impurities on some electrical parameters and structural perfection of silicon epitaxial layers

Twórca:

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Proceedings of ONPMP 1975 nr 5

Współtwórca:

Schab Krzysztof

Wydawca:

Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"

Miejsce wydania:

Opis:

[36] s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 14

Czasopismo/Seria/cykl:

Proceedings of ONPMP

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:28881

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - journal - material Electronic materials metallic impurity electrical parameter Si epitaxial layer

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki > Prace ITME

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

29 maj 2013

Liczba pobrań / odtworzeń:

720

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl/itme/publication/17241

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

PRACE ITME
- PRACE ONPMP
- PRACE ITME

Nazwa wydania	Data
Wiraszka Marek, Wpływ wybranych zanieczyszczeń metalicznych na niektóre parametry elektryczne i perfekcję strukturalną krzemowych warstw epitaksjalnych	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Odwzorowywanie dyslokacji w krzemowych warstwach epitaksjalnych metodami odbiciowymi rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej = The images of dislocations in silocon epitaxial layers obtained with help of X-ray diffraction topographic methods

Wierzchowski Wojciech

1984

Text

Badanie powstawania dyslokacji niedopasowania w krzemowych warstwach epitaksjalnych = The investigations of misfit dislocations creation in silicon epitaxial layers

Mazur Krystyna

1981

Text

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs = Determination of electrical properties for epitaxial GaAs1-P on the GaAs substrates

Kot Waldemar

1977

Text

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji