Warunki generacji promieniowania w cynkowych warstwach dyfuzyjnych z arsenku galu = The conditions of radiation generation in gallium arsenide with differee layer - Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Warunki generacji promieniowania w cynkowych warstwach dyfuzyjnych z arsenku galu = The conditions of radiation generation in gallium arsenide with differee layer

Download

Title: Warunki generacji promieniowania w cynkowych warstwach dyfuzyjnych z arsenku galu = The conditions of radiation generation in gallium arsenide with differee layer

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Proceedings of ONPMP 1978 z. 7

Contributor:

Kamiński Paweł

Publisher:

Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"

Place of publishing:

Description:

29, [1] s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 28-29

Relation:

Proceedings of ONPMP

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:29418

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - material Electronic materials electroluminescence GaAs p-n junction zine diffusion

Object collections:

Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > ITME works

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jun 17, 2013

Number of object content downloads / hits:

558

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/itme/publication/18468

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

PRACE ITME
- PRACE ONPMP
- PRACE ITME

Edition name	Date
Pietras Edward, Warunki generacji promieniowania w cynkowych warstwach dyfuzyjnych z arsenku galu	Oct 2, 2020

Objects Similar

Problemy związane z jakością arsenku galu w technologii dyfuzyjnych diod elektroluminescencyjnych

Pietras Edward

1977

Text

Układy scalone z arsenku galu = GaAs integrated circuits

Marciniak Wiesław

1990

Text

Arsenek galu : z doświadczeniem ku przyszłości = Gallium arsenide: with experience towards future

Rosiński Witold

1990

Text

Generacja defektów w czasie dyfuzji cynku do arsenku galu = Generation of defects during zinc diffusion in gallium arsenide

Pietras Edward

1975

Text

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Milwidskij M.G.

1976

Text

Charakteryzacja arsenku galu na tranzystory MESFET = GaAs diagnostics for MESFET's

Kot Waldemar

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals

Pawłowska Marta

1988

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information