Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu = Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms - Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu = Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms

Download

Title: Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu = Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms

Creator:

Kozłowski Roman

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 1

Contributor:

Kamiński Paweł ; Żelazko Jarosław

Publisher:

Place of publishing:

Description:

19-33 s. : il. 30 cm. ; Bibliogr. s. 33

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:15514

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - materials Electronic - journal - materials HRPITS radiation defect centres siatki metalowe Laplace'a procedure

Object collections:

Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Electronic Materials

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Oct 17, 2012

Number of object content downloads / hits:

256

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/itme/publication/32075

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kozłowski Roman, Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu	Oct 2, 2020

Objects Similar

Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu = Effect of photon flux on HRPITS spectral images for radiation defect centers in silicon single crystals

Kozłowski Roman

2010

Text

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors

Kozłowski Roman

2001

Text

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds

Kozłowski Roman

1998

Text

Wyznaczanie czasu życia nosników ładunku i poziomów rekombinacyjnych w materiałach wysokorezystywnych poprzez pomiar temperaturowej zależności fotoprąd = Determination of carrier lifetime and recombination levels in high-resistivity materials from photocurrent measurements

Kozłowski Roman

2000

Text

Influence of the CONTIN numerical procedure parameters on the shape of the spectral fringes obtained through the analysis of the temperature changes of the photocurrent relaxation waveforms

Żelazko Jarosław

2015

Text

Defekty radiacyjne w kryształach Nd:YAG i ich wpływ na właściwości optyczne i charakterystyki generacyjne lasera = Radiation defects in Nd:YAG single crystals and their influence on optical properties and optical output of a laser

Kaczmarek Sławomir Maksymilian

1998

Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Book/Chapter

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information