Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates - Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates

Download

Title: Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 2

Contributor:

Orłowski Wacław ; Strzelecka Stanisława ; Piersa Mirosław ; Jurkiewicz-Wegner Elżbieta ; Mirowska Aleksandra ; Rojek Anna

Publisher:

Place of publishing:

Description:

s. 18-25 : il. ; 30 cm. ; Bibliogr. s. 25

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:41656

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

SI GaAs gallium arsenide Czochralski method LEC orientation

Object collections:

Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Electronic Materials

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Mar 6, 2014

Number of object content downloads / hits:

591

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/itme/publication/59103

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Hruban Andrzej, Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych	Oct 2, 2020

Objects Similar

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method

Hruban Andrzej

2012

Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter

Orłowski, Wacław

1995

Text

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych = Semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs) for MESFET's and integrated circuits

Hruban Andrzej

1990

Text

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu = Influence of carbon on semi-insulating GaAs crystals

Strzelecka Stanisława

1996

Text

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors

Kozłowski Roman

2001

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information