Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates

Pobierz

Tytuł: Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates

Twórca:

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 2

Współtwórca:

Orłowski Wacław ; Strzelecka Stanisława ; Piersa Mirosław ; Jurkiewicz-Wegner Elżbieta ; Mirowska Aleksandra ; Rojek Anna

Wydawca:

Miejsce wydania:

Opis:

s. 18-25 : il. ; 30 cm. ; Bibliogr. s. 25

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:41656

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

SI GaAs gallium arsenide Czochralski method LEC orientation

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki > Materiały Elektroniczne

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

6 mar 2014

Liczba pobrań / odtworzeń:

696

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl/itme/publication/59103

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Hruban Andrzej, Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method

Hruban Andrzej

2012

Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Growth of SEMI-insulating GaAs crystals with 100 mm in diameter

Orłowski, Wacław

1995

Text

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych = Semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs) for MESFET's and integrated circuits

Hruban Andrzej

1990

Text

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs = Methods of semi-insulating GaAs monocrystals characterisation

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu = Influence of carbon on semi-insulating GaAs crystals

Strzelecka Stanisława

1996

Text

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors

Kozłowski Roman

2001

Text

Więcej

Styl cytowania:

ISO690 APA MLA Chicago

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji