Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = LPE] OR [Subject and Keywords = Er\:YAG] OR [Subject and Keywords = epitaxial layer] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = LPE] OR [Subject and Keywords = Er\:YAG] OR [Subject and Keywords = warstwa epitaksjalna] OR [Title = Epitaksja warstw Er\:YAG z fazy ciekłej = The liquid phase epitaxy of Er\:YAG layers] OR [Title = Epitaksja warstw Er\:YAG z fazy ciekłej] OR [Creator = Sarnecki Jerzy] OR [Creator = Sarnecki Jerzy]

Number of results: 923

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Otrzymywanie monokryształów YAG:Er3+ do zastosowań laserowych = Obtaining of YAG:Er3+ single crystals for laser applications

Frukacz Zygmunt

1994

Text

Epitaksja z fazy ciekłej struktur mikrolaserowych Cr,Mg:YAG/Yb:YAG = Liquid phase epitaxy growth of Vr,Mg:YAG/Yb:YAG microlaser structures

Sarnecki Jerzy

2007

Text

Określenie koncentracji współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG = Determination of concentration and the segregation of active rare earth ions in YAG epitaxial layers and waveguide structures

Sarnecki Jerzy

2012

Text

Wpływ składu roztworu wysokotemperaturowego na wartościowość jonów metali przejściowych w warstwach epitaksjalnych YAG i GGG = The influence of high temperature solution composition on transition metal ions valency in YAG and GGG epitaxial layers

Sarnecki Jerzy

2009

Text

Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG = Liquid phase epitaxial growth and characterization of Nd:YAG/YAG waveguide laser structures

Sarnecki Jerzy

2000

Text

Otrzymywanie epitaksjalnych warstw granatów dla techniki laserowej = Growth of garnet epitaxial layers for laser technique

Sarnecki Jerzy

2005

Text

Wpływ getterowania laserowego na czas życia nośników mniejszościowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej = The effect of laser gettering on minority carier-lifetime in silicon epitaxial layers

Sarnecki Jerzy

1991

Text

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3

Nishizawa Jun-ichi

1997

Text

Określenie koncentracji jonów Ga3+ w cienkich warstwach magnetycznych grantów = Determination of the concentration of Ga3+ jons in thin magnetic garnet films

Sarnecki Jerzy

1982

Text

Rozpuszczalność granatu itrowo-glinowego w topniku PbO/B203 = Solubility of ytrrium - aluminum garnet in PbO/B2O3 flux

Sarnecki Jerzy

2013

Book/Chapter

Falowodowe struktury laserowe Yb, Nd:YAG/YAG = The Yb, Nd:YAG/YAG structures for waveguide lasers

Sarnecki Jerzy

2002

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987

Text

Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures

Tomaszewski Jacek

1981

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity

Nowysz Karol

1975

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Osobliwości wzrostu warstw epitaksjalnych z ograniczonej objętości roztworu ciekłego = Peculiarties of the epitaxial layers fropm limited volume of liquid solution

Litwin A.A.

1976

Text

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986

Text

Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 = Investigation of radiative recombination in GaAs1-xPx epitaxial layers with 0,3<x<0,44

Gładysz Maria

1983

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających = Silicon epitaxial layers for microwave tunung diodes

Skwarcz Jerzy

1992

Text

Wpływ parametrów technologicznych na właściwości epitaksjalnych warstw węglowych osadzanych z fazy gazowej na podłożach krzemowych = Effect of technological parameters on the properties of carbon epitaxial layers deposited from the GaS phase on silicon substrates

Żelazko Jarosław

2004

Text

Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego = A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon

Sarnecki Jerzy

2014

Book/Chapter

Filters

Number of results: 923

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by