Filtry
  • Typ zasobu
  • Kolekcje
  • Typ obiektu
  • Typ pliku
  • Format treści
  • Dostępność obiektu
  • Data wydania/powstania Data związana z konkretnym wydarzeniem cyklu życia zasobu.
  • Dostęp
Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Szukana fraza: [Temat i słowa kluczowe = heterostructure] lub [Temat i słowa kluczowe = MOVPE] lub [Temat i słowa kluczowe = In\/InGaAs] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = Materiały elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = heterostruktura] lub [Temat i słowa kluczowe = MOVPE] lub [Temat i słowa kluczowe = InP\/InGaAs] lub [Tytuł = Wytwarzanie heterostruktur InP\/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki \(MOVPE\) = InGaAs\/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy] lub [Tytuł = Wytwarzanie heterostruktur InP\/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki \(MOVPE\)] lub [Twórca = Jasik Agata] lub [Twórca = Jasik Agata]

Wyników: 918

Obiektów na stronie:
Dodaj wszystkie do bibliografii

Badanie nieidealnej struktury supersieci (In)GaAs/GaAs(P) za pomocą rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej

Wójcik Marek

1994
Tekst

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji

Jasik Agata

1997
Tekst

Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne

Dumiszewska Ewa

2003
Tekst

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN

Caban Piotr

2008
Tekst

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Tomaszewski, Jacek

1990
Tekst

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD

Wesołowski Marek

2007
Tekst

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych

Lenkiewicz D.

2007
Tekst

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP

Kamiński Paweł

2007
Tekst

Nowe technologie wytwarzania złożonych struktur półprzewodnikowych

Bugajski Maciej

1990
Tekst

Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn Elżbieta Dąbrowska, Marian Teodorczyk, Grzegorz Sobczak, Andrzej Maląg.

Dąbrowska Elżbieta

2009
Tekst

Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm

Dąbrowska Elżbieta

2012
Tekst

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs

Bugajski Maciej Jagoda Andrzej Szymański Leszek

1976
Tekst

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej

Rupniewski Wojciech

1976
Tekst

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym

Wójcik Marek

2012
Tekst

Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii

Maląg Andrzej

2008
Tekst

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP

Drabik Wojciech

1983
Tekst

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV

Sass Jerzy

2000
Tekst

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017
Książka/Rozdział

Materiały Elektroniczne

2020
Książka/Rozdział

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014
Książka/Rozdział

Spis treści 2013 T. 41 nr 4

2013
Książka/Rozdział

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition

Stankiewicz Rafał Piątkowska Anna

2018
Książka/Rozdział

Vol. 46 No. 1-4 [2018]

Materiały Elektroniczne

2018.
Książka/Rozdział

Spis treści 1990 nr 3(71)

1990
Tekst

Spis treści 1990 nr 2(70)

1990
Tekst

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji