Search for: ([Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = epitaxial layer] OR [Subject and Keywords = GaAsP] OR [Subject and Keywords = CVD] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materialy] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = warstwa epitaksjalna] OR [Subject and Keywords = GaAsP] OR [Subject and Keywords = LED] OR [Title = Warstwy epitaksjalne GaAs1\-xPx dla przyrządów świecących = GaAs1\-xPx epitaxial layers for lighting diodes] OR [Title = Warstwy epitaksjalne GaAs1\-xPx dla przyrządów świecących] OR [Creator = Brzozowski Waldemar] OR [Creator = Brzozowski Waldemar])

Number of results: 920

Items per page:

add all to bibliography

of 39 Next

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs = Determination of electrical properties for epitaxial GaAs1-P on the GaAs substrates

Kot Waldemar

1977

Text

Prześwietleniowa mikroskopia elektronowa heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx = Transmission electron microscopy of heteroepitaxial layers of GaAs1-xPx

Toruń Jędrzej

1978

Text

Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu = On some properties of "antisite" defects in neutron irradiated GaAs

Wosik Jarosław

1986

Text

Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4) = Influence of substrates defect structure on the structure perfection of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs(x=0.4)

Pawłowska Marta

1987

Text

Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny = Phosphorus contents profile measurement in GaAs1-xPx epitaxial layers, based on photovoltaic phenomenon

Roszkiewicz Krzysztof

1981

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rupniewski Wojciech

1976

Text

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Drabik Wojciech

1983

Text

Badanie nieidealnej struktury supersieci (In)GaAs/GaAs(P) za pomocą rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej = The investigation of the non-ideal structure of the GaAs(P)/GaAs superlattice by means of XRD technique

Wójcik Marek

1994

Text

Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 = Investigation of radiative recombination in GaAs1-xPx epitaxial layers with 0,3<x<0,44

Gładysz Maria

1983

Text

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986

Text

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2

Brzozowski Waldemar

1973

Book/Chapter

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym = Silicon epitaxial deposited porous silicon for photovoltaic applications

Lipiński Dariusz

2012

Text

Wpływ parametrów technologicznych na właściwości epitaksjalnych warstw węglowych osadzanych z fazy gazowej na podłożach krzemowych = Effect of technological parameters on the properties of carbon epitaxial layers deposited from the GaS phase on silicon substrates

Żelazko Jarosław

2004

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987

Text

Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej = The liquid phase epitaxy of Er:YAG layers

Sarnecki Jerzy

1997

Text

Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures

Tomaszewski Jacek

1981

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity

Nowysz Karol

1975

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties

Strupiński Włodzimierz

1985

Text

Filters

Number of results: 920

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by