Filters
How to search... Advanced search
RCIN and OZwRCIN projects

Search for: ([Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = single crystal] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = Sb] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = monokryształ] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = Sb] OR [Title = Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem = Research in receiving of homogeneous silicon monocrystals strong doped with antimony] OR [Title = Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem] OR [Creator = Bukowski Andrzej] OR [Creator = Bukowski Andrzej])

Number of results: 925

Items per page:
add all to bibliography

Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p = Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity

Mirowska Aleksandra

2010
Text

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1988
Text

Badanie zachowania się arsenu w antymonie w procesie topienia strefowego = Distribution of arsenic in antimony during zone melting process

Dalecki Wojciech

1991
Text

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976
Text

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Dobiech Teresa

1982
Text

Otrzymywanie antymonu o czystości wyższej niż 6N = Antimonium obtaining - purity higher than 6N

Kusowski Mieczysław

1973
Book/Chapter

Metody ujawniania, klasyfikacja i ocena struktury defektów typu SWIRLS w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu, otrzymywanych metodą beztyglowego topienia strefowego = The methods of revealing, clasification and "swirls" defects in the dislocation free float-zone silicon crystals

Jeske Witlod

1976
Text

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum

Jakubicki Wojciech

1973
Text

Wpływ antymonu na zjawiska powierzchniowe w procesie wytwarzania kompozytu W-CuSb = The influence of antimony on the surface phenomena in processing the composite material W - CuSb

Senkara Jacek

1983
Text

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič, Andreja V.

1977
Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990
Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990
Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985
Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985
Text

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus

Nowysz Karol

1985
Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978
Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003
Text

Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych = Determination of the position of epitaxial n-n+ junctions on a skew microsection

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1977
Text

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi = Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray technoques

Sakowska Halina

2012
Text

Monokryształy krzemu - ich własności oraz metody i urządzenia do ich wytwarzania = Silicon single crystals - properties, methods of crystalization and growing equipment

Jeske Witold

1974
Text

Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4 = Quantitative determination of trichlorosilane in technical purity tetrachlorosilane by proton magnetic resonance method

Drożdż Elżbieta

1978
Text

SiC die-substrate connections for high temperature applications = Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych

Szczepański Zbigniew

2009
Text

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Pawłowski Mariusz

2008
Text

Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR = Measurement of long range surface flatness deviation of Siu wafers by means of HR XRR method

Mazur Krystyna

2008
Text

Technical contact

Address

Institute of Electronic Materials Technology
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa, Poland

Financing:

Project I

Project "Digital Repository of Scientific Institutes" [RCIN] co-financed by Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund.




Project II

Project "Open Resources in the Digital Repository of Scientific Institutes" [OZwRCIN] co-financed by Operational Program Digital Poland, 2014-2020, Measure 2.3: Digital accessibility and usefulness of public sector information; funds from the European Regional Development Fund and national co-financing from the state budget.





Partners funds

Works related to making new facilities available in the RCIN service are also co-financed by the Partners.

Partnership:

Website created by

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT ROZWOJU WSI I ROLNICTWA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOCYBERNETYKI I INŻYNIERII BIOMEDYCZNEJ IM. MACIEJA NAŁĘCZA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FIZYKI PAN ; INSTYTUT TECHNOLOGII BEZPIECZEŃSTWA „MORATEX” ;

This page uses 'cookies'. More information