Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = single crystal] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = Sb] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = monokryształ] OR [Subject and Keywords = Si] OR [Subject and Keywords = Sb] OR [Title = Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem = Research in receiving of homogeneous silicon monocrystals strong doped with antimony] OR [Title = Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem] OR [Creator = Bukowski Andrzej] OR [Creator = Bukowski Andrzej]

Number of results: 925

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p = Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity

Mirowska Aleksandra

2010

Text

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1988

Text

Badanie zachowania się arsenu w antymonie w procesie topienia strefowego = Distribution of arsenic in antimony during zone melting process

Dalecki Wojciech

1991

Text

Otrzymywanie antymonu o czystości wyższej niż 6N = Antimonium obtaining - purity higher than 6N

Kusowski Mieczysław

1973

Book/Chapter

Tendencje technologiczne w produkcji płytek krzemowych = Trends in silicon wafers production

Drzewiecki Paweł

1976

Text

Badanie przydatności płytkowego źródła domieszek arsenu do krzemu = Investigation of use the solid planar source to dope silicon with arsenic

Dobiech Teresa

1982

Text

Metody ujawniania, klasyfikacja i ocena struktury defektów typu SWIRLS w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu, otrzymywanych metodą beztyglowego topienia strefowego = The methods of revealing, clasification and "swirls" defects in the dislocation free float-zone silicon crystals

Jeske Witlod

1976

Text

Wpływ antymonu na zjawiska powierzchniowe w procesie wytwarzania kompozytu W-CuSb = The influence of antimony on the surface phenomena in processing the composite material W - CuSb

Senkara Jacek

1983

Text

Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3" zmodyfikowaną metodą Czochralskiego = Evaluation of growth conditions for 3" gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method

Mirowska Aleksandra

2012

Text

Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem = Homogenity of electrical paremeters of tellurium-doped gallium antimonide single crystals

Mirowska Aleksandra

2011

Text

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum

Jakubicki Wojciech

1973

Text

The mechanism of dislocation mobility in silicon = Mechanizm ruchu dyslokacji w krzemie

Valčič, Andreja V.

1977

Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures

Tomaszewski Jacek

1990

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus

Nowysz Karol

1985

Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Text

Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych = Determination of the position of epitaxial n-n+ junctions on a skew microsection

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1977

Text

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi = Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray technoques

Sakowska Halina

2012

Text

Monokryształy krzemu - ich własności oraz metody i urządzenia do ich wytwarzania = Silicon single crystals - properties, methods of crystalization and growing equipment

Jeske Witold

1974

Text

Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4 = Quantitative determination of trichlorosilane in technical purity tetrachlorosilane by proton magnetic resonance method

Drożdż Elżbieta

1978

Text

SiC die-substrate connections for high temperature applications = Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych

Szczepański Zbigniew

2009

Text

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals

Pawłowski Mariusz

2008

Text

Filters

Number of results: 925

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by