Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = single crystal] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = monokryształ] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Title = Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds] OR [Title = Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typuA3IIB2V] OR [Creator = Żdanowicz Witold] OR [Creator = Żdanowicz Witold]

Number of results: 919

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Świderski Jarosław

1976

Text

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Piga Witold

1983

Text

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds

Pawłowska Joanna

2008

Text

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Jabłoński Ryszard

1986

Text

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Otto Elżbieta

1981

Text

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV = The investigation of the chemical composition profile and laterial homogenity of AIIIBV quatum wells

Gaca Jarosław

2005

Text

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Jasik Agata

1997

Text

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Pietras Edward

1973

Book/Chapter

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wesołowski Marek

2007

Text

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Kamiński, Paweł

1991

Text

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Palczewska Maria

1995

Text

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3

Nishizawa Jun-ichi

1997

Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995

Text

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych = The study of single crystals and epitaxial layers with the use synchrotron radiation and simulation of diffraction images

Wierzchowski Wojciech

1994

Text

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Kot Waldemar

1985

Text

Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique

Dalecki Wojciech

1997

Text

Zastosowanie metody mikroanalizy rentgenowskiej do badania składu chemicznego warstw epitaksjalnych związków potrójnych grupy AIIIBV na przykładzie GA1-xAlxAs = X-ray microanalysis application for the investigation of epitaxial layer chemical composition of AIIIBV group triple compounds with the Ga1-x\alx\as as a representative of this group

Kozłowska Halina

1974

Text

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Milwidskij M.G.

1976

Text

Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem = Research in receiving of homogeneous silicon monocrystals strong doped with antimony

Bukowski Andrzej

1976

Text

Defekty wzrostowe w kryształach granatu gadolinowo-galowego = Growth defects in single crystals of gadolinium gallium garnet

Naumowicz Piotr

1984

Text

Otrzymywanie testowych monokryształów germanu = Production of Ge single crystals for testing

Adamuszek Wiesław

1975

Text

Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw = Investigation of surface of oxide single crystals and possibilities of surface modification for thin films applications

Sakowska Hanna

2001

Text

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds

Kozłowski Roman

1998

Text

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV = X-Ray difraction analysis of the coherency strain in semiconductor AIIIBV layer structures

Sass Jerzy

2000

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1991 nr 2(74)

1991

Text

Filters

Number of results: 919

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV = The investigation of the chemical composition profile and laterial homogenity of AIIIBV quatum wells

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych = The study of single crystals and epitaxial layers with the use synchrotron radiation and simulation of diffraction images

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique

Swiatowy stan technologii otrzymywanych monokryształów objętościowych arsenku galu = World state technololgy of GaAs bulk single-crystal growing

Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem = Research in receiving of homogeneous silicon monocrystals strong doped with antimony

Defekty wzrostowe w kryształach granatu gadolinowo-galowego = Growth defects in single crystals of gadolinium gallium garnet

Otrzymywanie testowych monokryształów germanu = Production of Ge single crystals for testing

Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw = Investigation of surface of oxide single crystals and possibilities of surface modification for thin films applications

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds

Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV = X-Ray difraction analysis of the coherency strain in semiconductor AIIIBV layer structures

Udział pracowników ITME w konferencjach 1991 nr 2(74)

Technical contact

Address

Sitemap

Main page

Collections

Indexes

About project

User's account

Recently viewed

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by