Filtry
  • Typ zasobu
  • Kolekcje
  • Typ obiektu
  • Typ pliku
  • Format treści
  • Dostępność obiektu
  • Data wydania/powstania Data związana z konkretnym wydarzeniem cyklu życia zasobu.
  • Dostęp
Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Szukana fraza: [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- material] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = silicon epitaxial layer] lub [Temat i słowa kluczowe = layer thickness] lub [Temat i słowa kluczowe = Si] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = Materiały elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = warstwa epitaksjalna] lub [Temat i słowa kluczowe = Si] lub [Temat i słowa kluczowe = Grubość warstwy] lub [Tytuł = Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um] lub [Tytuł = Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um] lub [Twórca = Nossarzewska\-Orłowska Elżbieta] lub [Twórca = Nossarzewska\-Orłowska Elżbieta]

Wyników: 926

Obiektów na stronie:
Dodaj wszystkie do bibliografii

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Tomaszewski, Jacek

1990
Tekst

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor

Nowysz Karol

1985
Tekst

Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem

Bukowski Andrzej

1976
Tekst

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003
Tekst

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi

Sakowska Halina

2012
Tekst

Monokryształy krzemu - ich własności oraz metody i urządzenia do ich wytwarzania

Jeske Witold

1974
Tekst

Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4

Drożdż Elżbieta

1978
Tekst

SiC die-substrate connections for high temperature applications

Szczepański Zbigniew

2009
Tekst

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

Pawłowski Mariusz

2008
Tekst

Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR

Mazur Krystyna

2008
Tekst

Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni

Możdżonek Małgorzata

2007
Tekst

Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej

Korec Jacek

1985
Tekst

Badanie naprężeń w krzemie otrzymanym metodą Czochralskiego

Adamkiewicz Grażyna

1986
Tekst

Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu

Kozłowski Roman

2010
Tekst

Badania widm absorpcyjnych w półizolacyjnym GaAs

Surma Barbara

1994
Tekst

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami

Jabłoński Ryszard

1988
Tekst

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

Tymicki Emil

2012
Tekst

Zastosowanie Fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni do badania interfejsu SiO2//Si w łączonych strukturach SOI

Możdżonek Małgorzata

2008
Tekst

Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu

Skrzynecka Irena

1975
Tekst

Badania zależności składu i struktury chemicznie osadzonych warstw azotku krzemu od parametrów procesu technologicznego

Skrzynecka Irena

1974
Tekst

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych

Wierzchowski Wojciech

1994
Tekst

Niektóre problemy związane z jakością materiału wyjściowego w technologii krzemowych przyrządów półprzewodnikowych

Pietras Edward

1975
Tekst

Zastosowanie transmisyjnej topografii rentgenowskiej w nierównoległym układzie spektrometru dwukrystalicznego do badania homoepitaksjalnych warstw Si

Sass Jerzy

1974
Tekst

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Kozubal Michał

2006
Tekst

SiC Schottky barrier rectifiers - theory and practice

Synowiec Zdzisław

2004
Tekst

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji