Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- material] OR [Subject and Keywords = Electronic materials] OR [Subject and Keywords = barrier Schottky] OR [Subject and Keywords = semiconductor] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = centrum defektowe] OR [Subject and Keywords = bariera Schottky'ego] OR [Subject and Keywords = półprzewodnik] OR [Title = Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p\-n i barier Schottky'ego = The investigation of defect centor by measuring of thermal or optical stimulated currents and capacitance of p\-n junctions and Schottky barriers] OR [Title = Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p\-n i barier Schottky'ego] OR [Creator = Kamiński Paweł] OR [Creator = Kamiński Paweł]

Number of results: 921

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well

Kamiński Paweł

2007

Text

Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET = Deep defect centres in active layer of MESFETs

Kamiński Paweł

1993

Text

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Kamiński, Paweł

1991

Text

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Text

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986

Text

Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień = Electron traps in silicon annealed under high pressure

Kamiński Paweł

1996

Text

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii

Kamiński Paweł

2010

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1996 T.24 nr 2/3 = ITME employees oarticipation in conference 1996 T.24 nr 2/3

1996

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1992 T.20 nr 3 = ITME employees participation in conference 1992 T.20 nr 3

1992

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1992 nr 2(78) = ITME employees participation in conferences 1992 nr 2(78)

1992

Text

Mechanizm wpływu pola magnetycznego na wzrost kryształów = Mechanism magnetic field dependence of the crystal growth

Wadas Romuald

1990

Text

Urządzenie adaptujące wyniki pomiaru Halla do rejestratora X - Y = Device enduring the presentation of results of Hall parameters measurements using an X-Y recorder

Matusewicz Stefan

1979

Text

Chemiczne i elektrochemiczne wytwarzanie warstw tlenku cynku = Chemical and electrochemical preparation of zinc oxide coatings

Wiliński Zbigniew

2009

Text

Udział pracowników ITME w konferencjach 1997 T.25 nr 1 = ITME employees participation in conference 1997 T.25 nr 1

1997

Text

Krótkie wprowadzenie do tematyki ogniw fotoelektrochemicznych = Short introduction to photo-electrolysis cells

Bieńkowski Krzysztof

2010

Text

Wzrost i Charakterystyka Kryształów. Sympozjum Naukowe, 6-7 kwiatnia 2000 r., Katowice, Polska. Materiały = Crystal Growth and Characterization

2000

Text

Niektóre problemy związane z jakością materiału wyjściowego w technologii krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Some problems of starting material quality in silicon devices technology

Pietras Edward

1975

Text

Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS

Pawłowski Michał

2012

Text

Pojemność różniczkowa granicy fazowej półprzewodnik - roztwór elektrolitu = Differential capacity of the semiconductor-electrolyte phase interface

Jackowska Krystyna

1974

Text

Pomiar warstw epitaksjalnych metoda C-V przy użyciu sondy rtęciowej = Measurements of the epitaxial layers parameters by means of C-V method with Hg probe

Brzozowski Andrzej

1984

Text

Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów = The measurement circuit for defect centers investigation by the method of the deep levels transient capacitance spectroscopy

Lamperski Jan

1983

Text

Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =

Pawłowski Michał

2004

Text

Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu = Effect of photon flux on HRPITS spectral images for radiation defect centers in silicon single crystals

Kozłowski Roman

2010

Text

Filters

Number of results: 921

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by