Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = silicon epitaxy] OR [Subject and Keywords = CVD] OR [Subject and Keywords = VLSI] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = epitaksja krzemu] OR [Subject and Keywords = CVD] OR [Subject and Keywords = parametry struktur epitaksjalnych] OR [Title = Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju = Silicon epitaxy. Trends] OR [Title = Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju] OR [Creator = Nossarzewska\-Orłowska Elżbieta] OR [Creator = Nossarzewska\-Orłowska Elżbieta]

Number of results: 920

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Epitaksja krzemu na krzemie porowatym = Silicon epitaxy over porous silicon

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1995

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji = Generation of dislocation slips in Si wafers during epitaxial process

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1995

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of Ni and Fe on silicon epitaxial layers properties

Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta

1994

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987

Text

Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych = Determination of the position of epitaxial n-n+ junctions on a skew microsection

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1977

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Fotoluminescencja krzemu porowatego = Photoluminescence from porous silicon

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1993

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego = Silicon epitaxial layers for nuclear radiation detectors

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1998

Text

Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements =

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1992

Text

Silicon for MST applications

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1996

Book/Chapter

Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym = Silicon epitaxial deposited porous silicon for photovoltaic applications

Lipiński Dariusz

2012

Text

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties

Strupiński Włodzimierz

1985

Text

Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej = The modeling of the CVD epitaxial process

Korec Jacek

1985

Text

Badania zależności składu i struktury chemicznie osadzonych warstw azotku krzemu od parametrów procesu technologicznego = Investigation of chemically deposited Si3N4 films composition and structure-depending on technological process parameters

Skrzynecka Irena

1974

Text

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2

Brzozowski Waldemar

1973

Book/Chapter

Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu = Masking investigation of silicon thermal oxidation process by chemically deposited Si3N4 films

Skrzynecka Irena

1975

Text

Krzem monokrystaliczny otrzymywany metodą Czochralskiego o ulepszonych własnościach = Czochralski silicon single crystal material of improved quality

Grzejszczyk Wanda

1990

Text

Dyfuzja niklu w procesie wzrostu klrzemowych warstw epitaksjalnych = Nickel diffusion during the growth of epitaxial silicon

Plewa Dariusz

1994

Text

Krzemowe warstwy homoepitaksjalne = Homoepitaxial silicon layers

Korec Jacek

1978

Text

Metodyka badania warstw epitaksjalnych krzemu za pomocą transmisyjnego mikroskopu elektronowego z zastosowaniem map linii Kikuchi = The method of study for the silicon epitaxial monolayers by means of transmission electron microscope with use of Kikuchi lines map

Rupniewski Wojciech

1979

Text

Filters

Number of results: 920

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by