Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- material] OR [Subject and Keywords = Electronic materials] OR [Subject and Keywords = GaP] OR [Subject and Keywords = CVD] OR [Subject and Keywords = electroluminescence] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = GaP] OR [Subject and Keywords = CVD] OR [Subject and Keywords = elektroluminescencja] OR [Title = Epitaksja GaP\/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto\-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow\-green light the structural and electrooptical properties] OR [Title = Epitaksja GaP\/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto\-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne] OR [Creator = Strupiński Włodzimierz] OR [Creator = Strupiński Włodzimierz]

Number of results: 919

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej = The production of thin GaP lauers by vapour phase epitaxy

Strupiński Włodzimierz

1988

Text

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Strzelecka, Stanisława

2006

Text

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Text

Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni = Determination of carbon concentration in GaP single crystals from absorption spectra in infrared range

Strzelecka Stanisława

2007

Text

Optical studies of undoped GaP grown by LEC method = Badania optyczne niedomieszkowancy kryształów GaP otrzymywanych metodą LEC

Surma Barbara

2009

Text

Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni = Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisław

2009

Text

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds

Dumiszewska Ewa

2011

Text

Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction

Orłowski Wacław

2010

Text

Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP = Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals

Strzelecka Stanisława

2009

Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995

Text

Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE = Optimalization of doping profile in GaAs epilayers obtained by MOVPE and HVPE methods

Strupiński Włodzimierz

1993

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej = The modeling of the CVD epitaxial process

Korec Jacek

1985

Text

Badania zależności składu i struktury chemicznie osadzonych warstw azotku krzemu od parametrów procesu technologicznego = Investigation of chemically deposited Si3N4 films composition and structure-depending on technological process parameters

Skrzynecka Irena

1974

Text

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych = Two-temperature growth of Si epitaxial layers

Borkowicz Jerzy

1975

Text

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2

Brzozowski Waldemar

1973

Book/Chapter

Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju = Silicon epitaxy. Trends

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1984

Text

Badanie maskowania procesu termicznego utleniania krzemu przez chemicznie osadzane warstwy azotku krzemu = Masking investigation of silicon thermal oxidation process by chemically deposited Si3N4 films

Skrzynecka Irena

1975

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym = Silicon epitaxial deposited porous silicon for photovoltaic applications

Lipiński Dariusz

2012

Text

Model of ageing process of electroluminescent structures = model procesu starzenia struktur elektroluminescencyjnych

Porada Zbigniew

2009

Text

Epitaksja krzemu na krzemie porowatym = Silicon epitaxy over porous silicon

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1995

Text

Wpływ parametrów technologicznych na właściwości epitaksjalnych warstw węglowych osadzanych z fazy gazowej na podłożach krzemowych = Effect of technological parameters on the properties of carbon epitaxial layers deposited from the GaS phase on silicon substrates

Żelazko Jarosław

2004

Text

Warunki generacji promieniowania w cynkowych warstwach dyfuzyjnych z arsenku galu = The conditions of radiation generation in gallium arsenide with differee layer

Pietras Edward

1978

Text

Warstwy epitaksjalne GaAs1-xPx dla przyrządów świecących = GaAs1-xPx epitaxial layers for lighting diodes

Brzozowski Waldemar

1974

Text

Filters

Number of results: 919

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by