Filtry
  • Typ zasobu
  • Kolekcje
  • Typ obiektu
  • Typ pliku
  • Format treści
  • Dostępność obiektu
  • Data wydania/powstania Data związana z konkretnym wydarzeniem cyklu życia zasobu.
  • Dostęp
Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Szukana fraza: [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- material] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic materials] lub [Temat i słowa kluczowe = dislocation density] lub [Temat i słowa kluczowe = defect] lub [Temat i słowa kluczowe = GaAsP\:Te] lub [Temat i słowa kluczowe = epitaxy layer] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = Materiały elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = gęstość dyslokacji] lub [Temat i słowa kluczowe = defekt] lub [Temat i słowa kluczowe = warstwa epitaksjalna] lub [Tytuł = Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6\:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te\-doped GaAs0.6P0.4] lub [Tytuł = Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6\:Te] lub [Twórca = Kamiński Paweł] lub [Twórca = Kamiński Paweł]

Wyników: 931

Obiektów na stronie:
Dodaj wszystkie do bibliografii

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1985
Tekst

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Kamiński Paweł

2010
Tekst

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych

Kamiński Paweł

2011
Tekst

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV

Kamiński Paweł

1991
Tekst

Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET

Kamiński Paweł

1993
Tekst

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP

Kamiński Paweł

2007
Tekst

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991
Tekst

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976
Tekst

Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottky'ego

Kamiński Paweł

1978
Tekst

Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień

Kamiński Paweł

1996
Tekst

Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem

Plewa Dariusz

1995
Tekst

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

2010
Tekst

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985
Tekst

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987
Tekst

Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej

Sarnecki Jerzy

1997
Tekst

Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych

Tomaszewski Jacek

1981
Tekst

Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych

Nowysz Karol

1975
Tekst

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976
Tekst

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych

Borkowicz Jerzy

1975
Tekst

Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji

Pawłowska Marta

1990
Tekst

Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44

Gładysz Maria

1983
Tekst

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających

Skwarcz Jerzy

1992
Tekst

Wpływ parametrów technologicznych na właściwości epitaksjalnych warstw węglowych osadzanych z fazy gazowej na podłożach krzemowych

Żelazko Jarosław

2004
Tekst

Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method

Kot Waldemar

1985
Tekst

Analiza możliwości zastosowania wysokorozdzielczej dyfraktomaterii rentgenowskiej do badań parametrów strukturalnych warstw epitaksjalnych i supersieci

Sass Jerzy

1994
Tekst

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji