Filters
How to search... Advanced search
RCIN and OZwRCIN projects

Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- material] OR [Subject and Keywords = Electronic materials] OR [Subject and Keywords = \"antisite\" defect] OR [Subject and Keywords = EPR] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = defekt typu \"antisite\"] OR [Subject and Keywords = EPR] OR [Subject and Keywords = AIIIBV] OR [Title = Badanie defektów typu 'antisite\" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa \"antisite\" defects in crystal type AIIIBV] OR [Title = Badanie defektów typu 'antisite\" w kryształach AIIIBV metodą EPR] OR [Creator = Jabłoński Ryszard] OR [Creator = Jabłoński Ryszard]

Number of results: 917

Items per page:
add all to bibliography

Widma rezonansu spinowego (ESR) w materiałach tlenkowych = Electron SPIN resonance spectra of oxide single crystals

Jabłoński Ryszard

1993
Text

Widmo EPR transmutowanego krzemu = EPR spectra in neutron-irradiated silicon

Jabłoński Ryszard

1984
Text

Określenie koncentracji chromu w GaAs metodą EPR = Estimation of the concentration on the Cr2+ Cr3+ ions in the gallium arsenide crystals

Jabłoński Ryszard

1986
Text

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Świderski Jarosław

1976
Text

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Piga Witold

1983
Text

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976
Text

Procedury wyznaczania parametrów anizotropowego czynnika g dla dentrów paramagnetycznych o spinie S=1/2 zlokalizowanych w sieci krystalicznej = The procedure of determining the parameters of the anisotropic g factor for paramagnetic centers with spin S = 1/2 in crystals localized in crystal lattice

Pawłowski Mariusz

2011
Text

Elektronowy rezonans paramagnetyczny jonów o spinie 7/2 w polu krystalicznym o symetrii tetragonalnej = Electron paramegnetic resonance of ions with SPIN S=7/2 in tetragonal crystal field

Jabłoński Ryszrad

1999
Text

Badanie cienkich warstw magnetycznych granatów metodą FMR = Investigation of thin magnetic films by FMR method

Jabłoński Ryszard

1982
Text

Numeryczne metody określania parametrów cienkich warstw magnetycznych granatów = The method of calculation of magnetic anisotropy constants in YIG layer

Jabłoński Ryszard

1995
Text

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds

Pawłowska Joanna

2008
Text

Mechaniczno-chemiczne polerowanie monokrystalicznych płytek związków AIIIBV = Mechanical-chemical polishing of monocrystallic wafers of AIIIBV compounds

Otto Elżbieta

1981
Text

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIIIBV = The investigation of the chemical composition profile and laterial homogenity of AIIIBV quatum wells

Gaca Jarosław

2005
Text

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Jasik Agata

1997
Text

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Pietras Edward

1973
Book/Chapter

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD = The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology

Wesołowski Marek

2007
Text

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure

Kamiński, Paweł

1991
Text

Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn

Palczewska Maria

1995
Text

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 3 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych. Cz. 3

Nishizawa Jun-ichi

1997
Text

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics

Strupiński Włodzimierz

1995
Text

Elektronowy rezonans paramagnetyczny w układach lokalnie uporządkowanych = Electron paramagnetic resonance in local ordered systems

Jabłoński Ryszard

1996
Text

Defekty paramagnetyczne w wolframianie ołowiowym (PbWO4) = Paramagnetic defects in PbWO4

Jabłoński Ryszard

1997
Text

Badania realnej struktury monokryształów i warstw epitaksjalnych z zastosowaniem promieniowania synchrotronowego i symulacji obrazów dyfrakcyjnych = The study of single crystals and epitaxial layers with the use synchrotron radiation and simulation of diffraction images

Wierzchowski Wojciech

1994
Text

Badania optyczne i ESR monokryształów CaNdAlO4 = Optical and ESR measurement in CaNdAlO4 single crystals

Jabłoński Ryszard

1993
Text

Obliczanie stałych anizotropii magnetycznej w ciekłych warstwach mierzonych metodą FMR = Ferromagnetic resonance relations in magnetic films

Jabłoński Ryszard

1982
Text

Technical contact

Address

Institute of Electronic Materials Technology
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa, Poland

Financing:

Project I

Project "Digital Repository of Scientific Institutes" [RCIN] co-financed by Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund.




Project II

Project "Open Resources in the Digital Repository of Scientific Institutes" [OZwRCIN] co-financed by Operational Program Digital Poland, 2014-2020, Measure 2.3: Digital accessibility and usefulness of public sector information; funds from the European Regional Development Fund and national co-financing from the state budget.





Partners funds

Works related to making new facilities available in the RCIN service are also co-financed by the Partners.

Partnership:

Website created by

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

This page uses 'cookies'. More information