Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Items per page:

add all to bibliography

of 2 Next

Wady krystalograficzne i przebicia mikroplazmowe w epitaksjalnych złączach p-n = Structural defects and microplasma breakdowns in epitaxial p-n layers

Magden I.N

1975

Text

The influence of reducing agents on the reduced graphene oxide specific surface area determined on the basis of nitrogen adsorption isotherm / Tomasz Strachowski, Michał Woluntarski, Małgorzata Djas, Krystian Kowiorski, Zbigniew Wiliński, Magdalena Baran, Joanna Jagiełło, Magdalena Winkowska, Ludwika Lipińska.

Strachowski Tomasz

2017

Book/Chapter

Solution growth of 3C-SiC by TSSG method

Raczkiewicz Marcin

2015

Text

Siła piezotermoelektryczna w arsenku galu typu p = The piezothermoelectric force in the gallium arsenide type p

Swiridow Iwan

1973

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rupniewski Wojciech

1976

Text

Effect of Ti and Zr additions on wettability and work of adhesion in Ag/C system

Wójcik-Grzybek Danuta

2017

Book/Chapter

Odwzorowywanie dyslokacji w krzemowych warstwach epitaksjalnych metodami odbiciowymi rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej = The images of dislocations in silocon epitaxial layers obtained with help of X-ray diffraction topographic methods

Wierzchowski Wojciech

1984

Text

Zjawiska dyfuzyjne w granicznych warstwach połączeń ceramika-metal w aspekcie potymalizacji technologii

Włosiński Władysław

1976

Text

Joining Al/Al2O3 composites and 44200 aluminium alloys by friction welding technique

Siedlec Robert

2014

Book/Chapter

Investigation of the defect structure in the new types of undoped and Pr-doped scintillator single crystals of mixed lutetium-yttrium-aluminum garnets [LuxY1-x]Al5O12 (LuYAG)

Malinowska Agnieszka

2015

Text

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1988

Text

Badania faz wzrostu monokryształów krzemu otrzymywanych metodą VLS z zastosowaniem złota i platyny = Investigations of growth phases of the silicon monocrystals grown by the VLS method using gold and platinum

Jakubicki Wojciech

1973

Text

Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs = Application of the far-infrared reflectance spectroscopy to characterization of AlAs/GaAs Bragg mirrors

Możdżonek Małgorzata

2012

Text

Wpływ porowatości na własności optyczne ceramiki MgAl2O4 w podczerwieni = Influence of residual pores on optical properties of MgAl2O4 ceramics in the infrared range

Możdżonek Małgorzata

2011

Text

Materiały z tworzyw sztucznych do elementów optoelektronicznych = Plastic material for optoelectronic components

Nowacki Janusz

1974

Text

Wpływ obróbki termicznej na własności optyczne monokryształów GaAs otrzymanych metodami Bridgmana i Czochralskiego = Effect of heat treatment on photoluminescence of Te-doped and undoped GaAs crystals grown by Czochralski and Bridgman methods

Gładysz Maria

1983

Text

Zjawisko nadplastyczności w wybranych ceramikach tlenkowych

Boniecki Marek

2008

Text

Scanning electron microscope at low voltage operation - a unique characterization tool for graphene layers Iwona Jóźwik.

Jóźwik Iwona

2016

Text

Silicon for MST applications

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1996

Book/Chapter

Związki półprzewodnikowe i ich roztwory stałe = Semiconductor compounds and their stable solutions

Jakowlew Bolesław

1975

Text

Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of Ni and Fe on silicon epitaxial layers properties

Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta

1994

Text

Nadprzewodniki. Własności i technologia

Hozer, Leszek

1989

Text

Spis treści 1975 nr 3(11) = Contents 1975 nr 3(11)

1975

Text

Generacja defektów w czasie dyfuzji cynku do arsenku galu = Generation of defects during zinc diffusion in gallium arsenide

Pietras Edward

1975

Text

Niskociśnieniowe tłoczywo epoksydowe NE-4 = The low-pressure epoxz moulding compound NE+4

Nowacki Janusz

1975

Text

1
2
of
2

This page uses 'cookies'. More information