Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity - Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity

Download

Title: Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych = Investigations of homogenity of silicon epitaxial layers resistivity

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1975 nr 4(12)

Contributor:

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 33-[41] : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. [41]

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:19885

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - materials Electronic - materials resistivity silicon epitaxial layer

Object collections:

Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Electronic Materials

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Feb 13, 2013

Number of object content downloads / hits:

481

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/itme/publication/10779

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Nowysz Karol, Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych	Oct 2, 2020

Objects Similar

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus

Nowysz Karol

1985

Text

Badania wysokooporowego arsenku galu = Investigations of high-resistivity gallium arsenide

Nowysz Karol

1973

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających = Silicon epitaxial layers for microwave tunung diodes

Skwarcz Jerzy

1992

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures

Tomaszewski Jacek

1981

Text

Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote

Brzozowski Andrzej

1993

Text

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information