Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4
Dobrzański Lech ; Kozłowski Roman
9-27 s. : il. ; Bibliogr. s. 25-27
ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
Oct 2, 2020
Sep 20, 2012
329
https://rcin.org.pl/itme/publication/14330
Edition name | Date |
---|---|
Kamiński Paweł, Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET | Oct 2, 2020 |
Hruban Andrzej
Milwidskij M.G
Pawłowska Marta