Mask shop at the Institute of Electronic Materials Technology - Institute of Electronic Materials Technology

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Mask shop at the Institute of Electronic Materials Technology

Download

Title: Mask shop at the Institute of Electronic Materials Technology

Creator:

Dobrzański Lech

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

MST News Poland 1997 nr 3(7)

Contributor:

Kowalik Andrzej

Publisher:

Institute of Electronic Materials Technology

Place of publishing:

Description:

s. 17-18 : il. 30 cm

Type of object:

Książka/Rozdział

Relation:

MST News Poland

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:39006

Source:

ITME, sygn. ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

litografia submikronowa maska

Object collections:

Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics > Articles

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jan 27, 2014

Number of object content downloads / hits:

583

All available object's versions:

https://rcin.org.pl/itme/publication/55857

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

ARTYKUŁY

Edition name	Date
Dobrzański Lech, 1997, Mask shop at the Institute of Electronic Materials Technology	Oct 2, 2020

Objects Similar

Konstrukcja i technologia tranzystora MESFET

Dobrzański, Lech

1990

Tekst

Deterministyczny, stałoprądowy model empiryczny oraz model statystyczny tranzystora MESFET z arsenku galu. Ropzrawa doktorska

Dobrzański Lech

1993

Tekst

MMIC'S on gallium arsenide developed in the Institute of Electronic Materials Technology

Dobrzański Lech

1992

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information