Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Obiekt

Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG

Pobierz

Tytuł: Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG

Twórca:

Raczkiewicz Marcin

Data wydania/powstania:

2015

Typ zasobu:

Tekst

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne. T.43 Nr 2

Współtwórca:

Tymicki Emil ; Łukasiewicz Tadeusz

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Opis:

Bibliogr. s.: 11 ; s.: 4-11 il. 30 cm.

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne T. 43 Nr 2 2015

Tom:

43

Zeszyt:

2

Strona pocz.:

4

Strona końc.:

11

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:59084

Źródło:

kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego ; Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R

Dostęp:

Otwarty

Temat i słowa kluczowe:

polityp 3C SiC wzrost z roztworu

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

5 lip 2016

Liczba pobrań / odtworzeń:

745

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl/itme/publication/78815

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie RDFa:

RDFa

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Raczkiewicz Marcin, Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG 2 paź 2020

Obiekty Podobne

Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej

Kozubal Michał

2013
Tekst

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Tymicki Emil

2011
Tekst

15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej

Tymicki Emil

2012
Tekst

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi

Sakowska Halina

2012
Tekst

SiC die-substrate connections for high temperature applications

Szczepański Zbigniew

2009
Tekst

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

Pawłowski Mariusz

2008
Tekst

Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

2013
Książka/Rozdział

Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska

Kozubal Michał

2011
Książka/Rozdział
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji