Filtry
  • Typ zasobu
  • Kolekcje
  • Typ obiektu
  • Typ pliku
  • Format treści
  • Dostępność obiektu
  • Data wydania/powstania Data związana z konkretnym wydarzeniem cyklu życia zasobu.
  • Dostęp
Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Szukana fraza: [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic\- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = substrate surface] lub [Temat i słowa kluczowe = oxide single crystal] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = Materiały elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = monokryształy tlenkowe] lub [Temat i słowa kluczowe = epitaksja cienkich warstw] lub [Temat i słowa kluczowe = warstwy epitaksjalne] lub [Tytuł = Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw = Investigation of surface of oxide single crystals and possibilities of surface modification for thin films applications] lub [Tytuł = Badanie powierzchni monokryształów tlenkowych, jej modyfikacja pod kątem zastosowania w epitaksji cienkich warstw] lub [Twórca = Sakowska Hanna] lub [Twórca = Sakowska Hanna]

Wyników: 920

Obiektów na stronie:
Dodaj wszystkie do bibliografii

Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985
Tekst

Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1987
Tekst

Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej

Sarnecki Jerzy

1997
Tekst

Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych

Tomaszewski Jacek

1981
Tekst

Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976
Tekst

Badanie jednorodności oporności krzemowych warstw epitaksjalnych

Nowysz Karol

1975
Tekst

Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1976
Tekst

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1985
Tekst

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te

Kamiński Paweł

1986
Tekst

Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44

Gładysz Maria

1983
Tekst

Krzemowe warstwy epitaksjalne do mikrofalowych diod przestrajających

Skwarcz Jerzy

1992
Tekst

Metoda dwutemperaturowego wzrostu krzemowych warstw epitaksjalnych

Borkowicz Jerzy

1975
Tekst

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2

Brzozowski Waldemar

1973
Książka/Rozdział

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017
Książka/Rozdział

Materiały Elektroniczne

2020
Książka/Rozdział

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014
Książka/Rozdział

Spis treści 2013 T. 41 nr 4

2013
Książka/Rozdział

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition

Stankiewicz Rafał Piątkowska Anna

2018
Książka/Rozdział

Vol. 46 No. 1-4 [2018]

Materiały Elektroniczne

2018.
Książka/Rozdział

Spis treści 1990 nr 3(71)

1990
Tekst

Spis treści 1990 nr 2(70)

1990
Tekst

Spis treści 1990 nr 1(69)

1990
Tekst

Spis treści 1990 nr 4(72)

1990
Tekst

Spis treści 1989 nr 4(68)

1990
Tekst

Spis treści 1989 nr 3(67)

1990
Tekst

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji