Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- materials] OR [Subject and Keywords = Electronic \- materials] OR [Subject and Keywords = MOVPE] OR [Subject and Keywords = GaN] OR [Subject and Keywords = AlN] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = Materialy elektroniczne] OR [Subject and Keywords = MOVPE] OR [Subject and Keywords = GaN] OR [Subject and Keywords = AlN] OR [Title = Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego \- główne problemy technologiczne = MOVPE deposition of III\-V compounds. The main technological issues] OR [Title = Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego \- główne problemy technologiczne] OR [Creator = Dumiszewska Ewa] OR [Creator = Dumiszewska Ewa]

Number of results: 920

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy

Caban Piotr

2008

Text

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych = Defect centers in high-resistivity epitaxial GaN

Kamiński Paweł

2011

Text

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates

Lenkiewicz D.

2007

Text

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Wójcik Marek

2012

Text

Detektory promieniowania ultrafioletowego z GaN i AlGaN = Ultra violet detectors based on GaN and AlGaN

Zynek Jadwiga

2001

Text

Ultraviolet-sensitive, visible-blind GaN detectors grown by MOCVD epitaxy

Korona Krzysztof

1997

Book/Chapter

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Kozubal Michał

2006

Text

Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis

Sadura Jolanta

2015

Text

Microstructure of metallic layers sintered on nitride ceramics depending of the chemical composition of interlayers

Olesińska Wiesława

2002

Text

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds

Dumiszewska Ewa

2011

Text

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy

Jasik Agata

1998

Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Book/Chapter

Electronic Materials

2020

Book/Chapter

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014

Book/Chapter

Spis treści 2013 T. 41 nr 4 = Contents 2013 T.41 nr 4

2013

Book/Chapter

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition / Rafał Stankiewicz, Anna PiDatkowska.

Stankiewicz, Rafał.

2018.

Book/Chapter

Vol. 46 No. 1-4 [2018]

Materiały Elektroniczne

2018.

Book/Chapter

Spis treści 1990 nr 3(71) = Content 1990 nr 3(71)

1990

Text

Spis treści 1990 nr 2(70) = Content 1990 nr 2(70)

1993

Text

Spis treści 1990 nr 1(69) = Contents 1990 nr 1(69)

1990

Text

Spis treści 1990 nr 4(72) = Contents

1990

Text

Spis treści 1989 nr 4(68) = Content 1989 nr 4(68)

1989

Text

Spis treści 1989 nr 3(67) = Content 1989 nr 3(67)

1989

Text

Spis treści 1989 nr 2(66) = Contents 1989 nr 2(66)

1989

Text

Spis treści 1985 nr 2(50) = Contents 1985 nr 2(50)

1985

Text

Filters

Number of results: 920

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by