Filtry
  • Typ zasobu
  • Kolekcje
  • Typ obiektu
  • Typ pliku
  • Format treści
  • Dostępność obiektu
  • Data wydania/powstania Data związana z konkretnym wydarzeniem cyklu życia zasobu.
  • Dostęp
Jak wyszukiwać... Wyszukiwanie zaawansowane
Projekty RCIN i OZwRCIN

Szukana fraza: [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = MOVPE] lub [Temat i słowa kluczowe = GaN] lub [Temat i słowa kluczowe = AlN] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = Materialy elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = MOVPE] lub [Temat i słowa kluczowe = GaN] lub [Temat i słowa kluczowe = AlN] lub [Tytuł = Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego \- główne problemy technologiczne = MOVPE deposition of III\-V compounds. The main technological issues] lub [Tytuł = Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego \- główne problemy technologiczne] lub [Twórca = Dumiszewska Ewa] lub [Twórca = Dumiszewska Ewa]

Wyników: 920

Obiektów na stronie:
Dodaj wszystkie do bibliografii

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN

Caban Piotr

2008
Tekst

Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych

Kamiński Paweł

2011
Tekst

Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych

Lenkiewicz D.

2007
Tekst

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym

Wójcik Marek

2012
Tekst

Detektory promieniowania ultrafioletowego z GaN i AlGaN

Zynek Jadwiga

2001
Tekst

Ultraviolet-sensitive, visible-blind GaN detectors grown by MOCVD epitaxy

Korona Krzysztof

1997
Książka/Rozdział

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Kozubal Michał

2006
Tekst

Acoustic plate modes in GaN crystal plates cut perpendicularly to crystallographic Z axis

Sadura Jolanta

2015
Tekst

Microstructure of metallic layers sintered on nitride ceramics depending of the chemical composition of interlayers

Olesińska Wiesława

2002
Tekst

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge

Dumiszewska Ewa

2011
Tekst

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)

Jasik Agata

1998
Tekst

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017
Książka/Rozdział

Materiały Elektroniczne

2020
Książka/Rozdział

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014
Książka/Rozdział

Spis treści 2013 T. 41 nr 4

2013
Książka/Rozdział

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition

Stankiewicz Rafał Piątkowska Anna

2018
Książka/Rozdział

Vol. 46 No. 1-4 [2018]

Materiały Elektroniczne

2018.
Książka/Rozdział

Spis treści 1990 nr 3(71)

1990
Tekst

Spis treści 1990 nr 2(70)

1990
Tekst

Spis treści 1990 nr 1(69)

1990
Tekst

Spis treści 1990 nr 4(72)

1990
Tekst

Spis treści 1989 nr 4(68)

1990
Tekst

Spis treści 1989 nr 3(67)

1990
Tekst

Spis treści 1989 nr 2(66)

1989
Tekst

Spis treści 1985 nr 2(50)

1985
Tekst

Kontakt techniczny

Adres

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
ul. Wólczyńska 133
01-919 Warszawa

Finansowanie:

Projekt I

Projekt „Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [RCIN] współfinansowany przez Unię Europejską ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka na lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R




Projekt II

Projekt „Otwarte Zasoby w Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych” [OZwRCIN] współfinansowany z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Polska Cyfrowa, lata 2014-2020, Działanie 2.3 : Cyfrowa dostępność i użyteczność sektora publicznego oraz środki Partnerów





Środki partnerów

Prace związane z udostępnianiem nowych obiektów w serwisie RCIN, dofinansowywane są również ze środków Partnerów.

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez

INSTYTUT MATEMATYCZNY PAN ; INSTYTUT ARCHEOLOGII I ETNOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ LITERACKICH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BADAŃ SYSTEMOWYCH PAN ; INSTYTUT BADAWCZY LEŚNICTWA ; INSTYTUT BIOLOGII DOŚWIADCZALNEJ IM. MARCELEGO NENCKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BIOLOGII SSAKÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT BOTANIKI IM. WŁADYSŁAWA SZAFERA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII BIOORGANICZNEJ POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT CHEMII FIZYCZNEJ PAN ; INSTYTUT CHEMII ORGANICZNEJ PAN ; INSTYTUT DENDROLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT FILOZOFII I SOCJOLOGII PAN ; INSTYTUT GEOGRAFII I PRZESTRZENNEGO ZAGOSPODAROWANIA PAN ; INSTYTUT HISTORII im. TADEUSZA MANTEUFFLA POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT JĘZYKA POLSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT MEDYCYNY DOŚWIADCZALNEJ I KLINICZNEJ IM.MIROSŁAWA MOSSAKOWSKIEGO POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT OCHRONY PRZYRODY POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT PODSTAWOWYCH PROBLEMÓW TECHNIKI PAN ; INSTYTUT SLAWISTYKI PAN ; INSTYTUT SYSTEMATYKI I EWOLUCJI ZWIERZĄT POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; MUZEUM I INSTYTUT ZOOLOGII POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ - INSTYTUT TECHNOLOGII MATERIAŁÓW ELEKTRONICZNYCH ; INSTYTUT HISTORII NAUKI IM. LUDWIKA I ALEKSANDRA BIRKENMAJERÓW POLSKIEJ AKADEMII NAUK ; INSTYTUT NAUK EKONOMICZNYCH POLSKIEJ AKADEMII NAUK ;

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji