Szukana fraza: [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- journal \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = Electronic \- materials] lub [Temat i słowa kluczowe = SiC] lub [Temat i słowa kluczowe = 15R\-SiC] lub [Temat i słowa kluczowe = polytype inclusion] lub [Temat i słowa kluczowe = Method PVT] lub [Temat i słowa kluczowe = Elektronika \- czasopismo \- materiały] lub [Temat i słowa kluczowe = Materiały elektroniczne] lub [Temat i słowa kluczowe = SiC] lub [Temat i słowa kluczowe = 15R\-SiC] lub [Temat i słowa kluczowe = wtrącenie politypowe] lub [Temat i słowa kluczowe = metoda PVT] lub [Tytuł = 15R\-SiC w kryształach 4H\- i 6H\-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R\-SiC inclusions in 4H\-and 6H\-SiC crystals grown by the physical vapour transport method] lub [Tytuł = 15R\-SiC w kryształach 4H\- i 6H\-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej] lub [Twórca = Tymicki Emil] lub [Twórca = Tymicki Emil]

Wyników: 920

Obiektów na stronie:

Dodaj wszystkie do bibliografii

z 37 Następna

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Tymicki Emil

2011

Tekst

Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi

Sakowska Halina

2012

Tekst

SiC die-substrate connections for high temperature applications

Szczepański Zbigniew

2009

Tekst

Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

Pawłowski Mariusz

2008

Tekst

SiC Schottky barrier rectifiers - theory and practice

Synowiec Zdzisław

2004

Tekst

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Kamiński Paweł

2010

Tekst

Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metoda chemicznego barwienia

Przyborowska Krystyna

2011

Tekst

Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN

Caban Piotr

2008

Tekst

Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej

Brzozowski Andrzej

2008

Tekst

Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej

Brzozowski Andrzej

2008

Tekst

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

2010

Tekst

Wpływ udziału ziaren SiC na zjawisko krzywych R w spiekach Al2O3

Tomaszewski Henryk

1998

Tekst

Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska

Kozubal Michał

2011

Książka/Rozdział

Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej

Kozubal Michał

2013

Tekst

Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

2013

Książka/Rozdział

Zastosowanie metody magnetycznego rezonansu protonowego do określania zawartości SiHCl3 w technicznym SiCl4

Drożdż Elżbieta

1978

Tekst

Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG

Raczkiewicz Marcin

2015

Tekst

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Książka/Rozdział

Materiały Elektroniczne

2020

Książka/Rozdział

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014

Książka/Rozdział

Spis treści 2013 T. 41 nr 4

2013

Książka/Rozdział

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition

Stankiewicz Rafał Piątkowska Anna

2018

Książka/Rozdział

Vol. 46 No. 1-4 [2018]

Materiały Elektroniczne

2018.

Książka/Rozdział

Spis treści 1990 nr 3(71)

1990

Tekst

Spis treści 1990 nr 2(70)

1990

Tekst

Następna

Filtry

Wyników: 920

Kontakt techniczny

Adres

Finansowanie:

Projekt I

Projekt II

Środki partnerów

Partnerstwo:

Serwis tworzony przez