Search for: [Subject and Keywords = epitaxy] OR [Subject and Keywords = nanowires] OR [Subject and Keywords = InP] OR [Subject and Keywords = solar cell] OR [Subject and Keywords = epitaksja] OR [Subject and Keywords = Nanidorus] OR [Subject and Keywords = InP] OR [Subject and Keywords = ogniwa słoneczne] OR [Title = InP nanowires for photovoltaic applications] OR [Title = Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice] OR [Creator = Dumiszewska Ewa] OR [Creator = Dumiszewska Ewa]

Number of results: 72

Items per page:

add all to bibliography

of 3 Next

Estamacja ciśnień w reaktorze do syntezy InP metodą HGF na podstawie pomiaru rozkładu temperatury = Pressure estimation in quartz ampoule in during InP synthesis by HGF method, on the base temperature distribution measurement

Materna Andrzej

2006

Text

Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Strzelecka, Stanisława

2006

Text

Stoichiometry control of compound semiconductor crystals. Part 2 = Kontrola stechiometrii kryształów związków półprzewodnikowych

Nishizawa Jun-ichi

1997

Text

Elektryczne i optyczne metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów fosforku indu domieszkowanych żelazem = Characterization of semi-insulating InP:Fe by electrical and optical measurements

Strzelecka Stanisława

1992

Text

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy

Jasik Agata

1998

Text

Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP = Silicon nitride for InP based planar photodiode applications

Zynek Jadwiga

2008

Text

Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors

Kozłowski Roman

2001

Text

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge = Optimization of the technology of manufacturing the first junction of triple junction solar cells based on InGaP/InGaAs/Ge compounds

Dumiszewska Ewa

2011

Text

Epitaksja MOVPE azotków III grupy układu okresowego - główne problemy technologiczne = MOVPE deposition of III-V compounds. The main technological issues

Dumiszewska Ewa

2003

Text

Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym = Silicon epitaxial deposited porous silicon for photovoltaic applications

Lipiński Dariusz

2012

Text

Influence of external conditions on parameters of silicon solar cells = Wpływ warunków zewnętrznych na parametry krzemowych ogniw słonecznych

Swiatowska Barbara

2010

Text

Influence of material properties on parameters of silicon solar cells = Wpływ właściwości materiałowych na parametry eksploatacyjne krzemowych ogniw słonecznych

Swatowska Barbara

2008

Text

The main properties of amorphous antireflective coating for silicon solar cells = Najważniejsze właściwości amorficznych warstw antyrefleksyjnych (ARC) do zastosowań w krzemowych ogniwach słonecznych

Swatowska Barbara

2008

Text

Odwzorowanie promieniowania słonecznego dla badań ogniw fotowoltaicznych = Solar simulation for the photovoltaic cells investigation

Ścigocka Grażyna

1982

Text

Polikrystaliczne cienkie warstwy jako fotoelektrody w ogniwach słonecznych = Polycrystalline thin films as photoelectrodes in solar cells

Sienicki Walery

1991

Text

Techniki i materiały stosowane w budowie ogniw słonecznych = Techniques and materials used in production of solar cells

Jakubicki Wojciech

1978

Text

Silicon for MST applications

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1996

Book/Chapter

Nowe kompozyty grubowarstwowe o obniżonej temperaturze spiekania przeznaczone na kontakty ogniwa słonecznego = New thick film composites of lower sintering temperature for ohimic contacts for sollar cells

Młożniak Anna

2009

Text

Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1985

Text

Dyfuzja niklu w procesie wzrostu klrzemowych warstw epitaksjalnych = Nickel diffusion during the growth of epitaxial silicon

Plewa Dariusz

1994

Text

Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology

Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

1978

Text

Modelowanie procesu epitaksji z fazy gazowej = The modeling of the CVD epitaxial process

Korec Jacek

1985

Text

Krzemowe warstwy homoepitaksjalne = Homoepitaxial silicon layers

Korec Jacek

1978

Text

Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji = Modification of mechanical-chemical treatment technology of epi-ready GaSb substrates

Smoczyński, Dariusz

2014

Book/Chapter

Osobliwości wzrostu warstw epitaksjalnych z ograniczonej objętości roztworu ciekłego = Peculiarties of the epitaxial layers fropm limited volume of liquid solution

Litwin A.A.

1976

Text

Filters

Number of results: 72

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by