Search for: [Subject and Keywords = Electronic \- journal \- material] OR [Subject and Keywords = Electronic materials] OR [Subject and Keywords = structure perfection] OR [Subject and Keywords = heteroepitaxial layer] OR [Subject and Keywords = GaAsP] OR [Subject and Keywords = Materiały elektroniczne] OR [Subject and Keywords = Elektronika \- czasopismo \- materiały] OR [Subject and Keywords = defekt strukturalny] OR [Subject and Keywords = heteroepitaksjalna warstwa] OR [Subject and Keywords = GaAsP] OR [Title = Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1\-xPx\/GaAs \(x=0,4\) = Influence of substrates defect structure on the structure perfection of heteroepitaxial layers GaAs1\-xPx\/GaAs\(x=0.4\)] OR [Title = Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1\-xPx\/GaAs \(x=0,4\)] OR [Creator = Pawłowska Marta] OR [Creator = Pawłowska Marta]

Number of results: 917

Items per page:

add all to bibliography

of 37 Next

Prześwietleniowa mikroskopia elektronowa heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx = Transmission electron microscopy of heteroepitaxial layers of GaAs1-xPx

Toruń Jędrzej

1978

Text

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Kamiński Paweł

1985

Text

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs = Determination of electrical properties for epitaxial GaAs1-P on the GaAs substrates

Kot Waldemar

1977

Text

Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu = On some properties of "antisite" defects in neutron irradiated GaAs

Wosik Jarosław

1986

Text

Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny = Phosphorus contents profile measurement in GaAs1-xPx epitaxial layers, based on photovoltaic phenomenon

Roszkiewicz Krzysztof

1981

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs by means of transmission electron microscopy

Rupniewski Wojciech

1976

Text

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP = The methods of specimen preparatio for transmission electron from microscope GaAs1-x Px/GaAs

Drabik Wojciech

1983

Text

Warstwy epitaksjalne GaAs1-xPx dla przyrządów świecących = GaAs1-xPx epitaxial layers for lighting diodes

Brzozowski Waldemar

1974

Text

Badanie nieidealnej struktury supersieci (In)GaAs/GaAs(P) za pomocą rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej = The investigation of the non-ideal structure of the GaAs(P)/GaAs superlattice by means of XRD technique

Wójcik Marek

1994

Text

Badanie rekombinacji promienistej w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx o składzie 0,3 < x <0,44 = Investigation of radiative recombination in GaAs1-xPx epitaxial layers with 0,3<x<0,44

Gładysz Maria

1983

Text

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1986

Text

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals

Pawłowska Marta

1988

Text

Badanie aktywności elektrycznej defektów strukturalnych w monokryształach półprzewodnikowych = Investigation of the electrical activity of structural defects in semiconductors monocrystals

Pawłowska Marta

1986

Text

Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji = The investigation of low dislocation GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1990

Text

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1988

Text

Skaningowy mikroskop elektronowy jako narzędzie badań w technologii materiałów pomocniczych i elementów półprzewodnikowych = Scaning electron microscape in an application to the technological testing of materials and elements used in electronics

Pawłowska Marta

1974

Text

Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej = The investigation of heterogeneities in neutron transmulated silicon single crystals

Pawłowska Marta

1986

Text

Wpływ zanieczyszczeń metalicznych na profil sygnału EBIC w krzemowych strukturach epitaksjalnych = Influence of metalic contaminations on EBIC signal profiles in silicon epilayers

Pawłowska Marta

1995

Text

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą skaningowej i prześwietleniowej mikroskopii elektronowej = Investigation of heteroepitaxial layers of GaAs1-x Px/GaAs by means of scanning and transmission electron microscopy

Drabik Wojciech

1983

Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Book/Chapter

Electronic Materials

2020

Book/Chapter

Spis treści. T.42 Nr 4 [2014]

2014

Book/Chapter

Spis treści 2013 T. 41 nr 4 = Contents 2013 T.41 nr 4

2013

Book/Chapter

Covering glass microspheres with Al2O3 or AlN by low-temperature atomic layer deposition / Rafał Stankiewicz, Anna PiDatkowska.

Stankiewicz, Rafał.

2018.

Book/Chapter

Vol. 46 No. 1-4 [2018]

Materiały Elektroniczne

2018.

Book/Chapter

Filters

Number of results: 917

Technical contact

Address

Financing:

Project I

Project II

Partners funds

Partnership:

Website created by